ワイドギャップ半導体4H-SiCにおけるMOS構造用絶縁膜の作製と評価に関する研究

小松, 直佳

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24591_Abstract pdf なし 810 KB 97 2016.12.07 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
ワイドギャップ半導体4H-SiCにおけるMOS構造用絶縁膜の作製と評価に関する研究
著者
著者名
小松, 直佳 ; コマツ, ナオヨシ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2011-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
工学
専攻
電気電子情報工学
学位授与番号
甲第14930号
学位記番号
24591
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/58343
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 工学研究科 / 2010年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.