Ab Initio Materials Design of High-TC (Ga,Mn)As by Interstitial Codoping Method

藤井, 将

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25256_Abstract pdf なし 905 KB 150 2017.01.12 要旨/Abstract  

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タイトル
Ab Initio Materials Design of High-TC (Ga,Mn)As by Interstitial Codoping Method
格子間同時ドーピング法による高いキュリー温度を有する(Ga,Mn)Asの第一原理物質設計
著者
著者名
藤井, 将 ; フジイ, ヒトシ
学位名
博士（理学）
学位授与年月日
2012-03-22
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物質創成
学位授与番号
甲第15520号
学位記番号
25256
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/59083
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2011年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.