抵抗変化メモリ・電気二重層キャパシタにおける電子状態制御に関する理論的研究

岸, 浩史

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25488_Abstract pdf なし 2.00 MB 89 2017.01.12 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
抵抗変化メモリ・電気二重層キャパシタにおける電子状態制御に関する理論的研究
著者
著者名
岸, 浩史 ; キシ, ヒロフミ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2012-03-22
学位授与機関
大阪大学
研究科
工学
専攻
精密科学・応用物理学
学位授与番号
甲第15750号
学位記番号
25488
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/59245
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 工学研究科 / 2011年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.