強磁性ホイスラー合金/Ge素子を用いたn-Ge中のスピン緩和機構の解明とデバイス応用に関する研究

藤田, 裕一

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29424_Abstract pdf なし 207 KB 249 2017.11.21  

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タイトル
強磁性ホイスラー合金/Ge素子を用いたn-Ge中のスピン緩和機構の解明とデバイス応用に関する研究
キョウジセイホイスラーゴウキン/Geソシヲモチイタn-Geチュウノスピンカンワキコウノカイメイトデバイスオウヨウニカンスルケンキュウ
著者
NRID
1000040874459 1000040874459
著者名
藤田, 裕一 ; フジタ, ユウイチ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2017-09-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
システム創成
学位授与番号
甲第19297号
学位記番号
29424
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/67165
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2017年度
注記
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Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available due to an unavoidable reason which was accepted by the degree-awarding graduate school. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.