強磁性ホイスラー合金/Ge素子を用いたn-Ge中のスピン緩和機構の解明とデバイス応用に関する研究

藤田, 裕一

アクセス数:2552025-03-13 16:06 集計

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/67165

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29424_Abstract pdf なし 207 KB 249 2017.11.21  

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