Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応

このアイテムのアクセス数:101件（2018-12-16 01:42 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/6898

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
ltc105-07	pdf	365 KB	132

タイトル	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応
タイトル (ヨミ)	Ⅲ Ⅴ ゾクカゴウブツハンドウタイチュウニオケルテンケッカンノデンシレイキユウキハンノウ
著者	大野, 裕大野, 裕
著者 (ヨミ)	オオノ, ヒロシ
内容	研究ノート
公開者	大阪大学低温センター
公開者 (ヨミ)	オオサカダイガクテイオンセンター
掲載誌名	大阪大学低温センターだより
巻	105
開始ページ	7
終了ページ	11
刊行年月	1999-01
ISSN	03874419
NCID	AN00030246
URL	http://hdl.handle.net/11094/6898
言語	日本語

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	紀要論文
ローカル資源タイプ	紀要論文
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学低温センターだより.105 P.7-P.11
DC.title	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応
DC.creator	大野, 裕
DC.publisher	大阪大学低温センター
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1999-01
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/6898
DC.description	研究ノート
citation_title	Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応
citation_author	大野, 裕
citation_publisher	大阪大学低温センター
citation_language	日本語
citation_date	1999-01
citation_journal_title	大阪大学低温センターだより
citation_volume	105
citation_firstpage	7
citation_lastpage	11
citation_issn	03874419
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/6898