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2022-06-27
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ltc105-07
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132
論文情報
タイトル
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応
タイトル (ヨミ)
Ⅲ Ⅴ ゾク カゴウブツ ハンドウタイ チュウ ニオケル テンケッカン ノ デンシ レイキ ユウキ ハンノウ
著者
大野, 裕
大野, 裕
著者 (ヨミ)
オオノ, ヒロシ
内容
研究ノート
公開者
大阪大学低温センター
公開者 (ヨミ)
オオサカダイガク テイオンセンター
掲載誌名
大阪大学低温センターだより
巻
105
開始ページ
7
終了ページ
11
刊行年月
1999-01
ISSN
03874419
NCID
AN00030246
URL
http://hdl.handle.net/11094/6898
言語
日本語
カテゴリ
紀要論文 Departmental Bulletin Paper
大阪大学低温センターだより / No.105 (1999-01)
論文詳細を表示
著者版フラグ
publisher
NII資源タイプ
紀要論文
ローカル資源タイプ
紀要論文
dcmi資源タイプ
text
DCTERMS.bibliographicCitation
大阪大学低温センターだより.105 P.7-P.11
DC.title
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応
DC.creator
大野, 裕
DC.publisher
大阪大学低温センター
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
1999-01
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/6898
DC.description
研究ノート
citation_title
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体中における点欠陥の電子励起誘起反応
citation_author
大野, 裕
citation_publisher
大阪大学低温センター
citation_language
日本語
citation_date
1999-01
citation_journal_title
大阪大学低温センターだより
citation_volume
105
citation_firstpage
7
citation_lastpage
11
citation_issn
03874419
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/6898