Development of In–Bi alloys with low-melting temperature for microelectronics interconnections

Jin, Sanghun

アクセス数:190件（2025-07-11 18:21 集計）

固定URL: https://doi.org/10.18910/73569

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
30807_Abstract	pdf	なし	1.37 MB	116	2019.10.30
30807_Dissertation	pdf	なし	12.7 MB	382	2019.10.30

タイトル	Development of In–Bi alloys with low-melting temperature for microelectronics interconnections
	マイクロエレクトロニクス接合部向け低融点In–Bi合金の開発
	マイクロエレクトロニクスセツゴウブムケテイユウテンインジウム－ビスマスゴウキンノカイハツ
著者	著者名 Jin, Sanghun ; ジン, サンフン ; 陳, 尚勲
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2019-09-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	環境・エネルギー工学
学位授与番号	甲第20503号
学位記番号	30807
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/73569
DOI	https://doi.org/10.18910/73569
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2019年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2019年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2019, 博士論文
DC.title	Development of In–Bi alloys with low-melting temperature for microelectronics interconnections
	マイクロエレクトロニクス接合部向け低融点In–Bi合金の開発
	マイクロエレクトロニクスセツゴウブムケテイユウテンインジウム－ビスマスゴウキンノカイハツ
DC.creator	Jin, Sanghun
	ジン, サンフン
	陳, 尚勲
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2019-09-25
DC.identifier	10.18910/73569
DC.format	73569
citation_title	Development of In–Bi alloys with low-melting temperature for microelectronics interconnections
citation_author	Jin, Sanghun
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citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/73569
citation_date	2019-09-25
citation_doi_detail	10.18910/73569
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