Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製

このアイテムのアクセス数:7件（2021-04-11 19:50 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:https://doi.org/10.18910/76561

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/76561

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
31203_Abstract	pdf	160 KB	15
31203_Dissertation	pdf	4.18 MB	113

タイトル	Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製
タイトル (ヨミ)	ナトリウムフラックスホウニオケルキバンヨウカイギジュツヲモチイタテイヒズミチッカガリウムケッショウノサクセイ
著者	山田, 拓海山田, 拓海
著者 (ヨミ)	ヤマダ, タクミ
著者所属研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2020-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第20879号
学位記番号	31203
URL	http://hdl.handle.net/11094/76561
言語	日本語
DOI	info:doi/10.18910/76561
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2019年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2019年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製
DC.creator	山田, 拓海
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/76561
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2020-03-25
DC.identifier	info:doi/10.18910/76561
citation_title	Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製
citation_author	山田, 拓海
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/76561
citation_date	2020-03-25
citation_doi	info:doi/10.18910/76561