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2021-03-06
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https://doi.org/10.18910/76561
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31203_Abstract
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14
31203_Dissertation
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98
論文情報
タイトル
Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製
タイトル (ヨミ)
ナトリウムフラックスホウニオケルキバンヨウカイギジュツヲモチイタテイヒズミチッカガリウムケッショウノサクセイ
著者
山田, 拓海
山田, 拓海
著者 (ヨミ)
ヤマダ, タクミ
著者所属研究科
工学
専攻
電気電子情報工学
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
2020-03-25
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第20879号
学位記番号
31203
URL
http://hdl.handle.net/11094/76561
言語
日本語
DOI
info:doi/10.18910/76561
カテゴリ
博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2019年度
博士論文 / 工学研究科 / 2019年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製
DC.creator
山田, 拓海
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/76561
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2020-03-25
DC.identifier
info:doi/10.18910/76561
citation_title
Naフラックス法における基板溶解技術を用いた低歪みGaN結晶の作製
citation_author
山田, 拓海
citation_language
日本語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/76561
citation_date
2020-03-25
citation_doi
info:doi/10.18910/76561