Attractive Interaction between Electrons in Semiconductors with Wide Band Gaps by Electron-Photon Interaction

Takeda, Hiroyuki; Yoshino, Katsumi

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論文情報

タイトル	Attractive Interaction between Electrons in Semiconductors with Wide Band Gaps by Electron-Photon Interaction
別タイトル	電子―光子相互作用によるワイドバンドギャップ半導体中の電子間引力相互作用
著者	Takeda, Hiroyuki Takeda, Hiroyuki
著者	Yoshino, Katsumi Yoshino, Katsumi
著者の別表記	武田, 寛之
著者の別表記	吉野, 勝美
キーワード等	attractive interaction
	semiconductors with wide band gaps
	electron-photon interaction
抄録	We theoretically demonstrate attractive interaction between electrons in semiconductors with wide band gaps by electron-photon interaction. At low temperature, wave vectors of electromagnetic waves absorbed in semiconductors with wide band gaps cannot be neglected for those of electron waves, that is, electromagnetic waves affect movements of electrons. Especially, attractive interaction between electrons occurs when one electron changes from a valence band to a conduction band and the other one changes from a conduction band to a valence band, and wide band gaps are necessary in order to obtain effective attractive interaction.
抄録	電子一光子相互作用によるワイドバンドギャップ半導体中の電子間引力相互作用について理論的に論じる。低温では、ワイドバンドギャップ半導体に吸収される電磁波の波数ベクトルは電子波のそれに対して無視できない、すなわち、電磁波は電子の運動に影響を与える。特に、ある電子が価電子帯から伝導帯へ、そして別の電子が伝導帯から価電子帯へ変化するとき引力相互作用が生じ、有効な引力相互作用を得るにはワイドバンドギャップが必要となる。
公開者	電気材料技術懇談会
公開者 (ヨミ)	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
掲載誌名	電気材料技術雑誌
巻	12
開始ページ	57
終了ページ	62
刊行年月	2003-09-25
URL	http://hdl.handle.net/11094/76777
言語	英語
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第12巻

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌.12 P.57-P.62
DC.title	Attractive Interaction between Electrons in Semiconductors with Wide Band Gaps by Electron-Photon Interaction
DCTERMS.alternative	電子―光子相互作用によるワイドバンドギャップ半導体中の電子間引力相互作用
DC.creator	Takeda, Hiroyuki
DC.creator	Yoshino, Katsumi
DC.creator	武田, 寛之
DC.creator	吉野, 勝美
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2003-09-25
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/76777
DC.subject	attractive interaction
	semiconductors with wide band gaps
	electron-photon interaction
DCTERMS.abstract	We theoretically demonstrate attractive interaction between electrons in semiconductors with wide band gaps by electron-photon interaction. At low temperature, wave vectors of electromagnetic waves absorbed in semiconductors with wide band gaps cannot be neglected for those of electron waves, that is, electromagnetic waves affect movements of electrons. Especially, attractive interaction between electrons occurs when one electron changes from a valence band to a conduction band and the other one changes from a conduction band to a valence band, and wide band gaps are necessary in order to obtain effective attractive interaction.
DCTERMS.abstract	電子一光子相互作用によるワイドバンドギャップ半導体中の電子間引力相互作用について理論的に論じる。低温では、ワイドバンドギャップ半導体に吸収される電磁波の波数ベクトルは電子波のそれに対して無視できない、すなわち、電磁波は電子の運動に影響を与える。特に、ある電子が価電子帯から伝導帯へ、そして別の電子が伝導帯から価電子帯へ変化するとき引力相互作用が生じ、有効な引力相互作用を得るにはワイドバンドギャップが必要となる。
citation_title	Attractive Interaction between Electrons in Semiconductors with Wide Band Gaps by Electron-Photon Interaction
citation_author	Takeda, Hiroyuki
citation_author	Yoshino, Katsumi
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citation_journal_title	電気材料技術雑誌
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	semiconductors with wide band gaps
	electron-photon interaction

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