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eme_13_01_082
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14
論文情報
タイトル
半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS
別タイトル
Hall pattern Shrink technology for a semiconductor : RELACS Technology for ArF Lithography
タイトル (ヨミ)
ハンドウタイ ヨウ ホール パターン シュクショウ ギジュツ ArF タイオウ RELACS
著者
寺井, 護
寺井, 護
豊島, 利之
豊島, 利之
熊田, 輝彦
熊田, 輝彦
長江, 偉
長江, 偉
著者の別表記
Terai, Mamoru
Toyoshima, Toshiyuki
Kumada, Teruhiko
Nagae, Suguru
キーワード等
RELACSTM
Shrink Technology
Chemically Amplified Resist
Photoacid Generator
contact hole pattern
193nm lithography
抄録
A chemical shrink technology, RELACS™ (Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink), utilizes the cross linking reaction catalyzed by the acid component existing in a predefined resist patteml, 2. This "RELACS™" process is a hole shrinking procedure that includes simple coating, baking, and rinsing applied after conventional photolithography. Our target is realize of under 90nm pattern formation TM TM by using new RELACS™ for ArF resist. At present, RELACS™ process is introduced to mass production of KrF lithography by using AZRR200 (Product name of Clariant) mainly. Then first of all we reported process TM @ @ performance of conventional RELACS™ material, AZ R200, with ArF resist. However AZ R200 does not show satisfactory shrinkage on ArF resist. Thereupon, we started on the development of new RELACS™ TM corresponding to ArF resist. As the result, we developed new RELACS™ material including new material. It was found that new matrerial is able to improve reactivity of RELACS™ with ArF-resist. By using this new RELACST™, It is Realized under 90nm pattern formation with ArF-Ex Lithography.
公開者
電気材料技術懇談会
公開者 (ヨミ)
デンキ ザイリョウ ギジュツ コンダンカイ
掲載誌名
電気材料技術雑誌
巻
13
開始ページ
82
終了ページ
86
刊行年月
2004-09-25
URL
http://hdl.handle.net/11094/76782
言語
日本語
カテゴリ
本学関連学会 Related Societies
電気材料技術雑誌 / 第13巻
論文詳細を表示
著者版フラグ
publisher
NII資源タイプ
学術雑誌論文
ローカル資源タイプ
本学関連学会
dcmi資源タイプ
text
DCTERMS.bibliographicCitation
電気材料技術雑誌.13 P.82-P.86
DC.title
半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS
DCTERMS.alternative
Hall pattern Shrink technology for a semiconductor : RELACS Technology for ArF Lithography
DC.creator
寺井, 護
豊島, 利之
熊田, 輝彦
長江, 偉
DC.creator
Terai, Mamoru
Toyoshima, Toshiyuki
Kumada, Teruhiko
Nagae, Suguru
DC.publisher
電気材料技術懇談会
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2004-09-25
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/76782
DC.subject
RELACSTM
Shrink Technology
Chemically Amplified Resist
Photoacid Generator
contact hole pattern
193nm lithography
DCTERMS.abstract
A chemical shrink technology, RELACS™ (Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink), utilizes the cross linking reaction catalyzed by the acid component existing in a predefined resist patteml, 2. This "RELACS™" process is a hole shrinking procedure that includes simple coating, baking, and rinsing applied after conventional photolithography. Our target is realize of under 90nm pattern formation TM TM by using new RELACS™ for ArF resist. At present, RELACS™ process is introduced to mass production of KrF lithography by using AZRR200 (Product name of Clariant) mainly. Then first of all we reported process TM @ @ performance of conventional RELACS™ material, AZ R200, with ArF resist. However AZ R200 does not show satisfactory shrinkage on ArF resist. Thereupon, we started on the development of new RELACS™ TM corresponding to ArF resist. As the result, we developed new RELACS™ material including new material. It was found that new matrerial is able to improve reactivity of RELACS™ with ArF-resist. By using this new RELACST™, It is Realized under 90nm pattern formation with ArF-Ex Lithography.
citation_title
半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS
citation_author
寺井, 護
豊島, 利之
熊田, 輝彦
長江, 偉
citation_publisher
電気材料技術懇談会
citation_language
日本語
citation_date
2004-09-25
citation_journal_title
電気材料技術雑誌
citation_volume
13
citation_firstpage
82
citation_lastpage
86
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/76782
citation_keywords
RELACSTM
Shrink Technology
Chemically Amplified Resist
Photoacid Generator
contact hole pattern
193nm lithography