半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS

寺井, 護; 豊島, 利之; 熊田, 輝彦; 長江, 偉

半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS

寺井, 護; 豊島, 利之; 熊田, 輝彦他

電気材料技術雑誌, 2004, 13, 82-86

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
eme_13_01_082	pdf	なし	3.19 MB	503	2020.09.04

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タイトル	半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS
	Hall pattern Shrink technology for a semiconductor : RELACS Technology for ArF Lithography
	ハンドウタイ　ヨウ　ホール　パターン　シュクショウ　ギジュツ　ArF　タイオウ　RELACS
著者	著者名寺井, 護 ; Terai, Mamoru
	著者名豊島, 利之 ; Toyoshima, Toshiyuki
	著者名熊田, 輝彦 ; Kumada, Teruhiko
	著者名長江, 偉 ; Nagae, Suguru
キーワード等	RELACSTM
	Shrink Technology
	Chemically Amplified Resist
	Photoacid Generator
	contact hole pattern
	193nm lithography
抄録	A chemical shrink technology, RELACS™ (Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink), utilizes the cross linking reaction catalyzed by the acid component existing in a predefined resist patteml, 2. This "RELACS™" process is a hole shrinking procedure that includes simple coating, baking, and rinsing applied after conventional photolithography. Our target is realize of under 90nm pattern formation TM TM by using new RELACS™ for ArF resist. At present, RELACS™ process is introduced to mass production of KrF lithography by using AZRR200 (Product name of Clariant) mainly. Then first of all we reported process TM @ @ performance of conventional RELACS™ material, AZ R200, with ArF resist. However AZ R200 does not show satisfactory shrinkage on ArF resist. Thereupon, we started on the development of new RELACS™ TM corresponding to ArF resist. As the result, we developed new RELACS™ material including new material. It was found that new matrerial is able to improve reactivity of RELACS™ with ArF-resist. By using this new RELACST™, It is Realized under 90nm pattern formation with ArF-Ex Lithography.
出版者	電気材料技術懇談会
出版者	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
収録物名	電気材料技術雑誌
収録物名	Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)	13
ページ	82-86
刊行年月	2004-09-25
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/76782
PISSN	09189890
NCID	AN10426571
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第13巻

資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌. 2004, 13, p. 82-86
DC.title	半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS
	Hall pattern Shrink technology for a semiconductor : RELACS Technology for ArF Lithography
	ハンドウタイ　ヨウ　ホール　パターン　シュクショウ　ギジュツ　ArF　タイオウ　RELACS
DC.creator	寺井, 護
	Terai, Mamoru
	豊島, 利之
	Toyoshima, Toshiyuki
	熊田, 輝彦
	Kumada, Teruhiko
	長江, 偉
	Nagae, Suguru
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.publisher	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2004-09-25
DC.subject	RELACSTM
	Shrink Technology
	Chemically Amplified Resist
	Photoacid Generator
	contact hole pattern
	193nm lithography
DCTERMS.abstract	A chemical shrink technology, RELACS™ (Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink), utilizes the cross linking reaction catalyzed by the acid component existing in a predefined resist patteml, 2. This "RELACS™" process is a hole shrinking procedure that includes simple coating, baking, and rinsing applied after conventional photolithography. Our target is realize of under 90nm pattern formation TM TM by using new RELACS™ for ArF resist. At present, RELACS™ process is introduced to mass production of KrF lithography by using AZRR200 (Product name of Clariant) mainly. Then first of all we reported process TM @ @ performance of conventional RELACS™ material, AZ R200, with ArF resist. However AZ R200 does not show satisfactory shrinkage on ArF resist. Thereupon, we started on the development of new RELACS™ TM corresponding to ArF resist. As the result, we developed new RELACS™ material including new material. It was found that new matrerial is able to improve reactivity of RELACS™ with ArF-resist. By using this new RELACST™, It is Realized under 90nm pattern formation with ArF-Ex Lithography.
DC.format	76782
citation_title	半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS
citation_author	寺井, 護
	豊島, 利之
	熊田, 輝彦
	長江, 偉
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citation_date	2004-09-25
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半導体用ホールパターン縮小技術 : ArF対応RELACS

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