Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD

Ohtsuka, Keisuke; Moritani, Akihiro; Ojima, Masayoshi; Ozaki, Masanori; Yoshino, Katsumi

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論文情報

タイトル	Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD
別タイトル	シリコンマイクロスパイクの電気化学的エッチングによる作製とプラズマCVDで作製されたマイクロスパイク上のダイヤモンドからの電界電子放出特性
著者	Ohtsuka, Keisuke Ohtsuka, Keisuke
	Moritani, Akihiro Moritani, Akihiro
	Ojima, Masayoshi Ojima, Masayoshi
	Ozaki, Masanori Ozaki, Masanori
	Yoshino, Katsumi Yoshino, Katsumi
著者の別表記	大塚, 恵祐
	森谷, 明弘
	尾島, 正禎
	尾崎, 雅則
	吉野, 勝美
キーワード等	Si
	microspikes
	diamond
	field emission
	シリコン
	マイクロスパイク
	ダイヤモンド
	電界放出
抄録	Sharp needle-like Si-microspikes array was prepared on Si surface electrochemically by anodization. Tops of Si-microspikes were covered with diamond particles by plasma chemical vapor deposition with CH4 /H2 gas. Field emission characteristics from the Si-microspikes, and from diamond particles on Si flat surfaces and on the Si-microspikes were clarified. The diamond particles on the Si-microspikes gave the lowest threshold voltage for the field emission among them.
抄録	シリコン表面を電気化学的に陽極酸化することによって，鋭い針状のシリコンマイクロスパイク列を作製した。このシリコンマイクロスパイクの先端にメタン・水素混合ガスを用いたプラズマCVD法でダイヤモンド粒子を形成した。シリコンマイクロスパイク、平坦シリコン基板に形成したダイヤモンド及びシリコンマイクロスパイクの先端に載せたダイヤモンドからの電界電子放出特性を明らかにした。これらの試料においてマイクロスパイク上のダイヤモンドが最も低い閾電圧を示した。
公開者	電気材料技術懇談会
公開者 (ヨミ)	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
掲載誌名	電気材料技術雑誌
巻	17
開始ページ	44
終了ページ	51
刊行年月	2008-11-25
URL	http://hdl.handle.net/11094/76850
言語	英語
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第17巻

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌.17 P.44-P.51
DC.title	Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD
DCTERMS.alternative	シリコンマイクロスパイクの電気化学的エッチングによる作製とプラズマCVDで作製されたマイクロスパイク上のダイヤモンドからの電界電子放出特性
DC.creator	Ohtsuka, Keisuke
	Moritani, Akihiro
	Ojima, Masayoshi
	Ozaki, Masanori
	Yoshino, Katsumi
DC.creator	大塚, 恵祐
	森谷, 明弘
	尾島, 正禎
	尾崎, 雅則
	吉野, 勝美
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2008-11-25
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/76850
DC.subject	Si
	microspikes
	diamond
	field emission
	シリコン
	マイクロスパイク
	ダイヤモンド
	電界放出
DCTERMS.abstract	Sharp needle-like Si-microspikes array was prepared on Si surface electrochemically by anodization. Tops of Si-microspikes were covered with diamond particles by plasma chemical vapor deposition with CH4 /H2 gas. Field emission characteristics from the Si-microspikes, and from diamond particles on Si flat surfaces and on the Si-microspikes were clarified. The diamond particles on the Si-microspikes gave the lowest threshold voltage for the field emission among them.
DCTERMS.abstract	シリコン表面を電気化学的に陽極酸化することによって，鋭い針状のシリコンマイクロスパイク列を作製した。このシリコンマイクロスパイクの先端にメタン・水素混合ガスを用いたプラズマCVD法でダイヤモンド粒子を形成した。シリコンマイクロスパイク、平坦シリコン基板に形成したダイヤモンド及びシリコンマイクロスパイクの先端に載せたダイヤモンドからの電界電子放出特性を明らかにした。これらの試料においてマイクロスパイク上のダイヤモンドが最も低い閾電圧を示した。
citation_title	Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD
citation_author	Ohtsuka, Keisuke
	Moritani, Akihiro
	Ojima, Masayoshi
	Ozaki, Masanori
	Yoshino, Katsumi
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citation_lastpage	51
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citation_keywords	Si
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	diamond
	field emission
	シリコン
	マイクロスパイク
	ダイヤモンド
	電界放出

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