Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD

Ohtsuka, Keisuke; Moritani, Akihiro; Ojima, Masayoshi; Ozaki, Masanori; Yoshino, Katsumi

Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD

Ohtsuka, Keisuke; Moritani, Akihiro; Ojima, Masayoshi et al.

電気材料技術雑誌, 2008, 17, 44-51

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
eme_17_01_044	pdf	なし	4.46 MB	106	2020.09.04

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タイトル	Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD
タイトル	シリコンマイクロスパイクの電気化学的エッチングによる作製とプラズマCVDで作製されたマイクロスパイク上のダイヤモンドからの電界電子放出特性
著者	著者名 Ohtsuka, Keisuke ; 大塚, 恵祐
	著者名 Moritani, Akihiro ; 森谷, 明弘
	著者名 Ojima, Masayoshi ; 尾島, 正禎
	NRID 1000050204186 1000050204186 ORCID 0000-0002-9556-4225 0000-0002-9556-4225 researchmap permalink read0014092 read0014092 Scopus Author ID 55490143900 55490143900 著者名 Ozaki, Masanori ; 尾崎, 雅則
	NRID 1000070029205 1000070029205 著者名 Yoshino, Katsumi ; 吉野, 勝美
キーワード等	Si
	microspikes
	diamond
	field emission
	シリコン
	マイクロスパイク
	ダイヤモンド
	電界放出
抄録	Sharp needle-like Si-microspikes array was prepared on Si surface electrochemically by anodization. Tops of Si-microspikes were covered with diamond particles by plasma chemical vapor deposition with CH4 /H2 gas. Field emission characteristics from the Si-microspikes, and from diamond particles on Si flat surfaces and on the Si-microspikes were clarified. The diamond particles on the Si-microspikes gave the lowest threshold voltage for the field emission among them.
抄録	シリコン表面を電気化学的に陽極酸化することによって，鋭い針状のシリコンマイクロスパイク列を作製した。このシリコンマイクロスパイクの先端にメタン・水素混合ガスを用いたプラズマCVD法でダイヤモンド粒子を形成した。シリコンマイクロスパイク、平坦シリコン基板に形成したダイヤモンド及びシリコンマイクロスパイクの先端に載せたダイヤモンドからの電界電子放出特性を明らかにした。これらの試料においてマイクロスパイク上のダイヤモンドが最も低い閾電圧を示した。
出版者	電気材料技術懇談会
出版者	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
収録物名	電気材料技術雑誌
収録物名	Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)	17
ページ	44-51
刊行年月	2008-11-25
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/76850
PISSN	09189890
NCID	AN10426571
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第17巻

資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌. 2008, 17, p. 44-51
DC.title	Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD
DC.title	シリコンマイクロスパイクの電気化学的エッチングによる作製とプラズマCVDで作製されたマイクロスパイク上のダイヤモンドからの電界電子放出特性
DC.creator	Ohtsuka, Keisuke
	大塚, 恵祐
	Moritani, Akihiro
	森谷, 明弘
	Ojima, Masayoshi
	尾島, 正禎
	Ozaki, Masanori
	尾崎, 雅則
	Yoshino, Katsumi
	吉野, 勝美
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.publisher	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2008-11-25
DC.subject	Si
	microspikes
	diamond
	field emission
	シリコン
	マイクロスパイク
	ダイヤモンド
	電界放出
DCTERMS.abstract	Sharp needle-like Si-microspikes array was prepared on Si surface electrochemically by anodization. Tops of Si-microspikes were covered with diamond particles by plasma chemical vapor deposition with CH4 /H2 gas. Field emission characteristics from the Si-microspikes, and from diamond particles on Si flat surfaces and on the Si-microspikes were clarified. The diamond particles on the Si-microspikes gave the lowest threshold voltage for the field emission among them.
DCTERMS.abstract	シリコン表面を電気化学的に陽極酸化することによって，鋭い針状のシリコンマイクロスパイク列を作製した。このシリコンマイクロスパイクの先端にメタン・水素混合ガスを用いたプラズマCVD法でダイヤモンド粒子を形成した。シリコンマイクロスパイク、平坦シリコン基板に形成したダイヤモンド及びシリコンマイクロスパイクの先端に載せたダイヤモンドからの電界電子放出特性を明らかにした。これらの試料においてマイクロスパイク上のダイヤモンドが最も低い閾電圧を示した。
DC.format	76850
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citation_author	Ohtsuka, Keisuke
	Moritani, Akihiro
	Ojima, Masayoshi
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Preparation of Si-microspikes by Electrochemical Etching and Field Emission Characteristics from Diamond particles on the Si-microspikes prepared by Plasma CVD

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