ポリアルキルフルオレン有機電界効果トランジスタの真空紫外光照射による電気的光学的特性への影響

寺島, 大樹; 楠本, 悠介; 梶井, 博武; 大森, 裕

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
eme_20_01_026	pdf	1.85 MB	18

論文情報

タイトル	ポリアルキルフルオレン有機電界効果トランジスタの真空紫外光照射による電気的光学的特性への影響
別タイトル	Influence of Vacuum UV irradiation on electrical and optical properties of organic field-effect transistors based on poly(alkyfluorene)
タイトル (ヨミ)	ポリアルキルフルオレン　ユウキ　デンカイ　コウカ　トランジスタ　ノ　シンクウ　シガイコウ　ショウシャ　ニ　ヨル　デンキ　テキ　コウガク　テキ　トクセイ　ヘ　ノ　エイキョウ
著者	寺島, 大樹寺島, 大樹
	楠本, 悠介楠本, 悠介
	梶井, 博武梶井, 博武
	大森, 裕大森, 裕
著者の別表記	Terashima, Daiki
	Kusumoto, Yusuke
	Kajii, Hirotake
	Ohmori, Yutaka
キーワード等	有機トランジスタ
	トップゲート構造
	Cytop
	ポリアルキルフルオレン
	銀ナノインク
	Organic Field Effect Transistors
	Top-Gate-Type
	poly(alkyfluorene)
	Ag nano-ink
抄録	ポリアルキルフルオレン： poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機電界効果トランジスタ(OFET)の作製とその電気的光学的特性を検討した。F8を用いたOFETは両極性を示し、適切なゲート電圧を印加する事で、正孔と電子を同時に有機半導体層に注入でき、青色発光を示した。また、溶液プロセスのみでOFETを作製するため、ゲート電極に銀ナノインクを用いることを検討した。ゲート絶縁膜に用いたアモルファスフッ素樹脂Cytop町旭硝子）は撥水性が高く通常その上部に銀ナノインクを用いることができない。しかし、窒素と酸素の混合雰囲気中で真空紫外光を照射することにより、Cytopの表面エネルギーが上昇し、銀ナノインクを用いてゲート電極を成膜できることが明らかになった。これより、溶液プロセスのみで発光OFETを作製できる可能性を見出し、実際にOFETのp型駆動を確認した。しかし、真空紫外光を照射することによりF8が劣化し、OFETのn型飽和特性が見られなくなりEL発光を示さなかった。これは真空紫外光照射により、F8に酸素由来の結合が生成され、電子トラップとなっていることが示唆される。
抄録	The fabrication and electrical and optical properties of top-gate-type organic field effect transistors (OFETs) utilizing poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8) were investigated. The OFETs utilizing F8 showed ambipolar characteristics and blue emission. Then, the Ag nano-ink was used for the gate electrode to fabricate OFETs only in the solution-process. The amorphous fluoro-polymer Cytop (Asahi Glass Co., Ltd.) which has good solution barrier properties was used for the gate insulator and the vacuum ultraviolet (VUV) light was irradiated on Cytop film in the mixture atmosphere of nitrogen and oxygen to decrease water-shedding quality of the film. As a result, the surface energy of Cytop was increased by VUV irradiation, and the gate electrode was fabricated in solution-process on the Cytop film by using the Ag nano-ink. In addition, the p-type output characteristic of OFET was achieved by all solution process method. However, after irradiated VUV light, the photo-degradation of F8 was observed. Consequently, the saturation current of OFETs in the electron enhancement mode markedly decreased, and the EL emission was not observed. It is suggested that the oxygen bindings were generated to F8 film by VUV irradiation, and acted as an electron trap sites.
公開者	電気材料技術懇談会
公開者 (ヨミ)	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
掲載誌名	電気材料技術雑誌
巻	20
号	1
開始ページ	26
終了ページ	32
刊行年月	2011-12-15
URL	http://hdl.handle.net/11094/76862
言語	日本語
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第20巻 / 第1号

著者版フラグ	publisher
NII資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
dcmi資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌.20(1) P.26-P.32
DC.title	ポリアルキルフルオレン有機電界効果トランジスタの真空紫外光照射による電気的光学的特性への影響
DCTERMS.alternative	Influence of Vacuum UV irradiation on electrical and optical properties of organic field-effect transistors based on poly(alkyfluorene)
DC.creator	寺島, 大樹
	楠本, 悠介
	梶井, 博武
	大森, 裕
DC.creator	Terashima, Daiki
	Kusumoto, Yusuke
	Kajii, Hirotake
	Ohmori, Yutaka
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2011-12-15
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/76862
DC.subject	有機トランジスタ
	トップゲート構造
	Cytop
	ポリアルキルフルオレン
	銀ナノインク
	Organic Field Effect Transistors
	Top-Gate-Type
	poly(alkyfluorene)
	Ag nano-ink
DCTERMS.abstract	ポリアルキルフルオレン： poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機電界効果トランジスタ(OFET)の作製とその電気的光学的特性を検討した。F8を用いたOFETは両極性を示し、適切なゲート電圧を印加する事で、正孔と電子を同時に有機半導体層に注入でき、青色発光を示した。また、溶液プロセスのみでOFETを作製するため、ゲート電極に銀ナノインクを用いることを検討した。ゲート絶縁膜に用いたアモルファスフッ素樹脂Cytop町旭硝子）は撥水性が高く通常その上部に銀ナノインクを用いることができない。しかし、窒素と酸素の混合雰囲気中で真空紫外光を照射することにより、Cytopの表面エネルギーが上昇し、銀ナノインクを用いてゲート電極を成膜できることが明らかになった。これより、溶液プロセスのみで発光OFETを作製できる可能性を見出し、実際にOFETのp型駆動を確認した。しかし、真空紫外光を照射することによりF8が劣化し、OFETのn型飽和特性が見られなくなりEL発光を示さなかった。これは真空紫外光照射により、F8に酸素由来の結合が生成され、電子トラップとなっていることが示唆される。
DCTERMS.abstract	The fabrication and electrical and optical properties of top-gate-type organic field effect transistors (OFETs) utilizing poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8) were investigated. The OFETs utilizing F8 showed ambipolar characteristics and blue emission. Then, the Ag nano-ink was used for the gate electrode to fabricate OFETs only in the solution-process. The amorphous fluoro-polymer Cytop (Asahi Glass Co., Ltd.) which has good solution barrier properties was used for the gate insulator and the vacuum ultraviolet (VUV) light was irradiated on Cytop film in the mixture atmosphere of nitrogen and oxygen to decrease water-shedding quality of the film. As a result, the surface energy of Cytop was increased by VUV irradiation, and the gate electrode was fabricated in solution-process on the Cytop film by using the Ag nano-ink. In addition, the p-type output characteristic of OFET was achieved by all solution process method. However, after irradiated VUV light, the photo-degradation of F8 was observed. Consequently, the saturation current of OFETs in the electron enhancement mode markedly decreased, and the EL emission was not observed. It is suggested that the oxygen bindings were generated to F8 film by VUV irradiation, and acted as an electron trap sites.
citation_title	ポリアルキルフルオレン有機電界効果トランジスタの真空紫外光照射による電気的光学的特性への影響
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