アクセス数:177件（2024-04-19 01:29 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/76901

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明 information
eme_22_01_035 pdf なし 2.05 MB 207 2020.09.04  

論文情報

ファイル出力

タイトル
フルオレン系有機発光トランジスタにおけるポリマーゲート絶縁膜／半導体層界面の電気的光学的特性への影響
Influence of the Interface between Polymer Gate Insulator and Organic Semiconductor Layer on Electrical and Optical Properties of Organic Light-Emitting Transistors based on fluorene-type polymers
フルオレン　ケイ　ユウキ　ハッコウ　トランジスタ　ニ　オケル　ポリマーゲート　ゼツエン　マク　ハンドウタイソウ カイメン　ノ　デンキ　テキ　コウガク　テキ　トクセイ　ヘ　ノ　エイキョウ
著者
著者名
伊勢, 雅人 ; Ise, Masato
著者名
田中, 仁 ; Tanaka, Hitoshi
NRID
1000000324814 1000000324814
researchmap permalink
read0191221 read0191221
Scopus Author ID
56247824600 56247824600
著者名
梶井, 博武 ; Kajii, Hirotake
NRID
1000050223970 1000050223970
著者名
大森, 裕 ; Ohmori, Yutaka
キーワード等
有機発光トランジスタ
トップゲート構造
両極性
フルオレン系高分子
ポリマーゲート絶縁膜
Organic Light-Emitting Transistors
Top-Gate-Type
Ambipolar Characteristics
Fluorene-Type Polymers
Polymer Gate Insulators
抄録
種々の絶縁膜とフルオレン系共役高分子： poly(9 ,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) (以下F8BT)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機発光トランジスタ(organiclight-emitting transistor: OLET)の作製とその電気的光学的特性を検討した。OLETは有機半導体層とゲート絶縁膜の界面にキャリアが流れるので、その界面状態の影響を強く受ける。ポリマーゲート絶縁膜として代表的なアクリル樹脂であるpoly(methylmethacrylate) (以下PMMA)やフッ素系アモルファス樹脂CytopRおよび炭化水素重合体のpoly(cyclohexylethylene) (以下PCHE)を用いて素子を作製した。PMMAを用いたF8BT素子は両極性を示し、適切なゲート電圧を印加する事で、正孔と電子を同時に有機半導体層に注入でき、黄緑色発光を示した。一方、低誘電率材料であるCytopを用いた素子の場合は正孔電流が増加し、PMMAの発光特性と異なり、主に電子注入電極近傍でのみ発光が得られたことから、正孔のみ伝導している状態で、電極近傍のみ電子が注入されている単極性に近い特性を示した。Cytopと同程度の低誘電率PCHEの薄膜層によるPCHE/PMMA積層絶縁膜を用いることで、PMMA絶縁膜を用いた素子に比べて正孔移動度の改善が確認できた。
The fabrication and electrical and optical properties of top-gate-type organic light-emitting transistors (OLETs) utilizing poly(9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole) (F8BT) and various polymer gate insulators are investigated. We fabricated F8BT OLETs with various types of polymer gate insulators such as poly(methyl methacrylate) (PMMA) for acryl resin, CytopRfor amorphous fluoro-polymer and poly(cyclohexyl ethylene) (PCHE) for hydrocarbon polymer. Because the carriers in OLETs run through the interface of insulator/active layer, we investigate the influence of polymer insulators in OLET characteristics. The F8BT devices with PMMA gate insulator show ambipolar characteristics and yellow-green emission. For the OLETs with Cytop, the unipolar characteristics and the increase of hole current are observed. For a device with PCHE/PMMA bilayer insulator, the hole field-effect mobility is improved.
出版者
電気材料技術懇談会
デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
収録物名
電気材料技術雑誌
Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)
22
ページ
35-40
刊行年月
2013-12-10
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/76901
PISSN
09189890
NCID
AN10426571
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
本学関連学会 Related Societies
電気材料技術雑誌 / 第22巻