ポリシランへのドーピングと電子・光物性

上野, 秀樹; 児嶋, 啓之; 柿本, 正也; 山口, 洋一; 西村, 昭

ポリシランへのドーピングと電子・光物性

上野, 秀樹; 児嶋, 啓之; 柿本, 正也他

電気材料技術雑誌, 1994, 3, 19-26

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
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タイトル	ポリシランへのドーピングと電子・光物性
	Electrical and optical properties of polysilanes and their doping effect
	ポリシラン　ヘ　ノ　ドーピング　ト　デンシ　ヒカリブッセイ
著者	NRID 1000090301431 1000090301431 著者名上野, 秀樹 ; Ueno, H
	著者名児嶋, 啓之 ; Kojima, M
	著者名柿本, 正也 ; Kakimoto, M
	著者名山口, 洋一 ; Yamaguchi, Y
	著者名西村, 昭 ; Nishimura, A
キーワード等	シリコンポリマー
	ポリシラン
	ドーピング
	電気的性質
	光学的性質
抄録	The doping effects on optical and electrical properties of polysilanes have been investigated by in-situ measurement. An optical absorption associated with s-s* transition was observed near 330 nm for polymethylphenylsilane. By iodine doping, a new absorption was observed at the longer wavelength around 420 nm, which should originate from the charge transfer between dopant and s-conjugated system. Similar spectral changes have also been observed for most of investigated linear polysilanes. Furthermore, we have found drastic spectral change upon iodine doping into polysilane with p-N, N-dimethylaminophenyl substituent. It has very strong absorption up to 700 nm. It might originate from a strong interaction between the substituent and iodine. At the same time, s-conjugation might also play a significant role on doping into this system.
出版者	電気材料技術懇談会
出版者	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
収録物名	電気材料技術雑誌
収録物名	Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)	3
ページ	19-26
刊行年月	1994-10-01
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/81549
PISSN	09189890
NCID	AN10426571
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第3巻

資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌. 1994, 3, p. 19-26
DC.title	ポリシランへのドーピングと電子・光物性
	Electrical and optical properties of polysilanes and their doping effect
	ポリシラン　ヘ　ノ　ドーピング　ト　デンシ　ヒカリブッセイ
DC.creator	上野, 秀樹
	Ueno, H
	児嶋, 啓之
	Kojima, M
	柿本, 正也
	Kakimoto, M
	山口, 洋一
	Yamaguchi, Y
	西村, 昭
	Nishimura, A
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.publisher	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	1994-10-01
DC.subject	シリコンポリマー
	ポリシラン
	ドーピング
	電気的性質
	光学的性質
DCTERMS.abstract	The doping effects on optical and electrical properties of polysilanes have been investigated by in-situ measurement. An optical absorption associated with s-s* transition was observed near 330 nm for polymethylphenylsilane. By iodine doping, a new absorption was observed at the longer wavelength around 420 nm, which should originate from the charge transfer between dopant and s-conjugated system. Similar spectral changes have also been observed for most of investigated linear polysilanes. Furthermore, we have found drastic spectral change upon iodine doping into polysilane with p-N, N-dimethylaminophenyl substituent. It has very strong absorption up to 700 nm. It might originate from a strong interaction between the substituent and iodine. At the same time, s-conjugation might also play a significant role on doping into this system.
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citation_title	ポリシランへのドーピングと電子・光物性
citation_author	上野, 秀樹
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citation_language	日本語
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citation_journal_title	電気材料技術雑誌
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citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/81549

ポリシランへのドーピングと電子・光物性

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