原子間力顕微鏡（AFM）によるlnAs系ヘテロ構造のナノスケール加工とデバイス応用

佐々, 誠彦; 中島, 貴史; 井上, 正崇

原子間力顕微鏡（AFM）によるlnAs系ヘテロ構造のナノスケール加工とデバイス応用

佐々, 誠彦; 中島, 貴史; 井上, 正崇

電気材料技術雑誌, 2002, 11(2), 134-145

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
eme_11_02_134	pdf	なし	5.90 MB	70	2021.05.26

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タイトル	原子間力顕微鏡（AFM）によるlnAs系ヘテロ構造のナノスケール加工とデバイス応用
	Nanoscale Fabrication and Device Applications of lnAs-based Heterostructures using Atomic-Force Microscope
	ゲンシカン　リョク　ケンビキョウ　AFM　ニ　ヨル　InAsケイ　ヘテロ　コウゾウ　ノ　ナノスケール　カコウ　ト　デバイスオウヨウ
著者	NRID 1000050278561 1000050278561 著者名佐々, 誠彦 ; Sasa, Shigehiko
	著者名中島, 貴史 ; Nakashima, Atsushi
	NRID 1000020029325 1000020029325 著者名井上, 正崇 ; Inoue, Masataka
キーワード等	atomic-force microscope
	anodic oxidation
	InAs
	GaSb
	AlSb
	nanoscale fabrication
	single-electron transistor
	nanostructure device
	原子間力顕微鏡
	陽極酸化
	インジウム砒素
	ガリウムアンチモン
	アルミニウム
	アンチモン
	ナノスケール加工
	単電子トランジスタ
	ナノ構造デバイス
抄録	We describe nanofabrication processes developed for the fabrication of InAs/AIGaSb heterostructures using atomic-force-microscope (AFM) oxidation and applications to the fabrication of nanoscale devices such as single-electron transistors. Oxidation processes were developed for GaSb, GaSb/AlSb, and InAs layers. We demonstrate that our AFM oxidation processes are simple and useful by showing each fabrication process and corresponding device structure and characteristics.
出版者	電気材料技術懇談会
出版者	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
収録物名	電気材料技術雑誌
収録物名	Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)	11(2)
ページ	134-145
刊行年月	2002-12-25
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/81701
PISSN	09189890
NCID	AN10426571
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第11巻 / 第2号

資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌. 2002, 11(2), p. 134-145
DC.title	原子間力顕微鏡（AFM）によるlnAs系ヘテロ構造のナノスケール加工とデバイス応用
	Nanoscale Fabrication and Device Applications of lnAs-based Heterostructures using Atomic-Force Microscope
	ゲンシカン　リョク　ケンビキョウ　AFM　ニ　ヨル　InAsケイ　ヘテロ　コウゾウ　ノ　ナノスケール　カコウ　ト　デバイスオウヨウ
DC.creator	佐々, 誠彦
	Sasa, Shigehiko
	中島, 貴史
	Nakashima, Atsushi
	井上, 正崇
	Inoue, Masataka
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.publisher	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
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DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2002-12-25
DC.subject	atomic-force microscope
	anodic oxidation
	InAs
	GaSb
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	single-electron transistor
	nanostructure device
	原子間力顕微鏡
	陽極酸化
	インジウム砒素
	ガリウムアンチモン
	アルミニウム
	アンチモン
	ナノスケール加工
	単電子トランジスタ
	ナノ構造デバイス
DCTERMS.abstract	We describe nanofabrication processes developed for the fabrication of InAs/AIGaSb heterostructures using atomic-force-microscope (AFM) oxidation and applications to the fabrication of nanoscale devices such as single-electron transistors. Oxidation processes were developed for GaSb, GaSb/AlSb, and InAs layers. We demonstrate that our AFM oxidation processes are simple and useful by showing each fabrication process and corresponding device structure and characteristics.
DC.format	81701
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原子間力顕微鏡（AFM）によるlnAs系ヘテロ構造のナノスケール加工とデバイス応用

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