接着剤レスでフッ素樹脂と超平滑Cu箔を強力接着 : Beyond 5G時代に必須の「基板」に

大久保, 雄司; 西野, 実沙; 山村, 和也

2021

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/84134

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PressRelease_20210903 pdf なし 777 KB 172 2021.09.13  

論文情報

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タイトル
接着剤レスでフッ素樹脂と超平滑Cu箔を強力接着 : Beyond 5G時代に必須の「基板」に
著者
NRID
1000010525786 1000010525786
ORCID
0000-0001-7366-5108 0000-0001-7366-5108
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Scopus Author ID
37461879400 37461879400
著者名
大久保, 雄司
著者名
西野, 実沙
NRID
1000060240074 1000060240074
researchmap permalink
read0014013 read0014013
Scopus Author ID
7201754767 7201754767
著者名
山村, 和也
キーワード等
Beyond 5G
複合材料・表界面工学
表界面物性
接合・接着・溶接
プラズマ処理
SDGs
内容
本資料は2021年9月3日にプレスリリースされたものである。
抄録
大阪大学大学院工学研究科附属精密工学研究センターの大久保雄司助教、物理学系専攻・精密工学コースの大学院生の西野実沙さん（博士後期課程1年）、山村和也教授らの研究グループは、フッ素樹脂であるPTFE（テフロンTM）と超平滑Cu箔（表面粗さSq：0.1 μm以下）を中間層（接着剤やプライマー等）無しで強力に接着する技術を世界で初めて開発しました（図1参照）（特許出願中：特願2021-140261）。フッ素樹脂に対してプラズマ処理中に同時に加熱する「熱アシストプラズマ処理」を実施し、超平滑Cu箔との熱圧縮条件を工夫することにより、Cu箔／PTFEの強力接着（0.8 N/mm以上）を実現しました。「表面粗さの小さいCu箔を使用すること」と「伝送損失増加の要因となる中間層無しでCu／PTFE界面を形成すること」の2つの効果によって、伝送損失を劇的に低減することが期待されます。本研究成果は、2021年（令和3年）9月6日に表面技術に関する国際学会INTERFINISH2020（オンライン開催）、2021年9月30日にサイエンス＆テクノロジー社が開催する技術セミナー「高周波対応基板のための樹脂・銅の密着性向上技術」（オンライン開催）にて報告されます。
出版者
大阪大学
Osaka University
オオサカ　ダイガク
刊行年月
2021-09-03
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/84134
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
その他 other