シリコンの中性子線照射損傷に関する研究

このアイテムのアクセス数:110件（2018-10-19 02:43 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/909

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
04985_要旨	pdf	173 KB	92	要旨/Abstract
04985_論文	pdf	7.39 MB	150	論文/Dissertation

タイトル	シリコンの中性子線照射損傷に関する研究
タイトル (ヨミ)	シリコンノチュウセイシセンショウシャソンショウニカンスルケンキュウ
著者	徳田, 豊徳田, 豊
著者の別表記	Tokuda, Yotaka
著者 (ヨミ)	トクダ, ユタカ
学位名	工学博士
学位授与年月日	1980-04-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第02429号
学位記番号	04985
URL	http://hdl.handle.net/11094/909
言語	日本語

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	シリコンの中性子線照射損傷に関する研究
DC.creator	徳田, 豊
DC.creator	Tokuda, Yotaka
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/909
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1980-04-25
citation_title	シリコンの中性子線照射損傷に関する研究
citation_author	徳田, 豊
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/909
citation_date	1980-04-25