窒化物半導体の極性反転と深紫外光デバイスへの応用

林, 侑介

日本結晶成長学会誌, 2020, 47(3)

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タイトル
窒化物半導体の極性反転と深紫外光デバイスへの応用
Polarity Inversion of Nitride Semiconductors and Application to Deep-Ultraviolet Photonic Devices
著者
NRID
1000000800484 1000000800484
researchmap permalink
YusukeHayashi YusukeHayashi
Scopus Author ID
55712779600 55712779600
著者名
林, 侑介 ; Hayashi, Yusuke
内容
特集：深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展
HAYASHI, Yusuke. Polarity Inversion of Nitride Semiconductors and Application to Deep-Ultraviolet Photonic Devices : . 日本結晶成長学会誌 47, 3 (2020); https://doi.org/10.19009/jjacg.47-3-06.
抄録
III-nitride semiconductors are promising nonlinear optical crystals due to a wide bandgap energy, a high nonlinear optical constant, enabling broadband operation of nonlinear optical effects such as wavelength conversion and optical modulation in the deep ultraviolet (DUV) wavelength. Integration of nitride-based wavelength conversion with blue laser diodes enables a compact and highly-efficient coherent source in the DUV wavelength. This paper describes the principle of wavelength conversion and nonlinear optical crystals used in the ultraviolet region. Subsequently, focusing on nitride semiconductors as nonlinear optical crystals, polarity inversion methods, evaluation methods, and device applications are described.
出版者
日本結晶成長学会
収録物名
日本結晶成長学会誌
巻(号)
47(3)
刊行年月
2020-10-28
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/91757
PISSN
03856275
NCID
AN00188386
関連情報 (isIdenticalTo)
DOI (出版社版)
https://doi.org/10.19009/jjacg.47-3-06
アクセス権
open access
権利情報
©2020 日本結晶成長学会
HAYASHI, Yusuke. Polarity Inversion of Nitride Semiconductors and Application to Deep-Ultraviolet Photonic Devices : . 日本結晶成長学会誌 47, 3 (2020); https://doi.org/10.19009/jjacg.47-3-06.
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article