固定URL: https://doi.org/10.18910/91922

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
33239_Abstract	pdf	なし	158 KB	432	2023.07.04
33239_Dissertation	pdf	なし	36.5 MB	456	2023.07.04

論文情報

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タイトル	Molecular Dynamics Simulation of SiO2 and SiN Etching for 3D NAND Memory Device Applications
	3次元NANDメモリデバイスへの応用を目指したSiO2およびSiNエッチングの分子動力学シミュレーション
	サンジゲンNANDメモリデバイスヘノオウヨウヲメザシタSiO2オヨビSiNエッチングノブンシドウリキガクシミュレーション
著者	著者名 Cagomoc, Donato Charisse Marie ; カゴーモク, ドナト チャリスマリ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2023-03-23
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	物理学系
学位授与番号	14401甲第22649号
学位記番号	33239
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/91922
DOI	https://doi.org/10.18910/91922
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2022年度
	博士論文 / 工学研究科 / 2022年度

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