SiCウエハ及びV溝型トレンチMOSFETの開発

福田, 憲司; 原田, 真; 堀, 勉 他

電気材料技術雑誌, 2024, 33(1), 53-62

アクセス数:2,234件（2026-02-16 16:45 集計）

固定URL: https://doi.org/10.18910/99609

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明 information
eme_33_01_053 pdf なし 5.79 MB 83 2025.01.10  

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル
SiCウエハ及びV溝型トレンチMOSFETの開発
Development of SiC wafer and V-groove trench MOSFET
SiC　ウエハ　オヨビ　V　ミゾガタ　トレンチ　MOSFET　ノ　カイハツ
著者
著者名
福田, 憲司 ; フクダ, ケンジ ; Fukuda, Kenji
著者名
原田, 真 ; ハラダ, シン ; Harada, Shin
著者名
堀, 勉 ; ホリ, ツトム ; Hori, Tsutomu
NRID
1000060600088 1000060600088
著者名
伊東, 洋典 ; イトウ, ヒロノリ ; Itoh, Hironori
著者名
古米, 正樹 ; フルマイ, マサキ ; Furumai, Masaki
NRID
1000090304162 1000090304162
著者名
畑山, 智亮 ; ハタヤマ, トモアキ ; Hatayama, Tomoaki
著者名
増田, 健良 ; マスダ, タケヨシ ; Masuda, Takeyoshi
著者名
斉藤, 雄 ; サイトウ, ユウ ; Saitoh, Yu
著者名
内田, 光亮 ; ウチダ, コウスケ ; Uchida, Kosuke
著者名
日吉, 透 ; ヒヨシ, トオル ; Hiyoshi, Toru
キーワード等
SiC
エピタキシャルウエハ
パワーデバイス
V溝型トレンチMOSFET
超接合構造
内容
論文
抄録
The development of energy saving technologies is progressing around the world in order to suppress CO2, which causes global warming. One of these developments is reducing the on-resistance of power devices that construct the power electronics equipment. Recently, the performance of Si power devices has been approaching its theoretical limit. SiC is a promising candidate for the next generation power devices due to its excellent properties. We have been developing SiC wafers and devices. As a result, we succeeded in developing epitaxial SiC wafers with few defects, and achieving extremely low on-resistance in a V-groove trench MOSFET with an excellent MOS interface and super-junction structure.
出版者
電気材料技術懇談会
収録物名
電気材料技術雑誌
Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)
33(1)
ページ
53-62
刊行年月
2024-12-25
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/99609
DOI
https://doi.org/10.18910/99609
PISSN
09189890
NCID
AN10426571
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
本学関連学会 Related Societies
電気材料技術雑誌 / 第33巻