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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明
11377_Abstract	pdf	なし	117 KB	81	2014.06.09	要旨/Abstract
11377_Dissertation	pdf	なし	52.2 MB	126	2012.09.22	論文/Dissertation

論文情報

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タイトル	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
	Si ヒョウメン スイソ ノ イオン ビーム テイリョウ ナラビニ ハクマク ケイセイ ニ オヨボス エイキョウ ニ カンスル ケンキュウ
著者	NRID 1000060264131 1000060264131 著者名 内藤, 正路 ; ナイトウ, マサミチ ; Naitou, Masamichi
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1994-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	電子工学
学位授与番号	甲第05059号
学位記番号	11377
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/1151
DOI	https://doi.org/10.11501/3094183
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 1993年度
	博士論文 / 工学研究科 / 1993年度

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