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2022-06-25
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https://doi.org/10.11501/3094183
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11377_要旨
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52
要旨/Abstract
11377_論文
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52.2 MB
96
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
タイトル (ヨミ)
Si ヒョウメン スイソ ノ イオン ビーム テイリョウ ナラビニ ハクマク ケイセイ ニ オヨボス エイキョウ ニ カンスル ケンキュウ
著者
内藤, 正路
内藤, 正路
著者の別表記
Naitou, Masamichi
著者 (ヨミ)
ナイトウ, マサミチ
著者所属研究科
工学
専攻
電子工学
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
1994-03-25
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第05059号
学位記番号
11377
URL
http://hdl.handle.net/11094/1151
言語
日本語
DOI
info:doi/10.11501/3094183
カテゴリ
博士論文 本文あり / 工学研究科 / 1993年度
博士論文 / 工学研究科 / 1993年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
DC.creator
内藤, 正路
DC.creator
Naitou, Masamichi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/1151
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
1994-03-25
DC.identifier
info:doi/10.11501/3094183
citation_title
Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
citation_author
内藤, 正路
citation_language
日本語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/1151
citation_date
1994-03-25
citation_doi
info:doi/10.11501/3094183