Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
11377_要旨	pdf	117 KB	48	要旨/Abstract
11377_論文	pdf	52.2 MB	72	論文/Dissertation

タイトル	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
タイトル (ヨミ)	Si ヒョウメンスイソノイオンビームテイリョウナラビニハクマクケイセイニオヨボスエイキョウニカンスルケンキュウ
著者	内藤, 正路内藤, 正路
著者の別表記	Naitou, Masamichi
著者 (ヨミ)	ナイトウ, マサミチ
著者所属研究科	工学
専攻	電子工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1994-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第05059号
学位記番号	11377
URL	http://hdl.handle.net/11094/1151
言語	日本語
DOI	info:doi/10.11501/3094183

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
DC.creator	内藤, 正路
DC.creator	Naitou, Masamichi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/1151
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1994-03-25
DC.identifier	info:doi/10.11501/3094183
citation_title	Si表面水素のイオンビーム定量ならびに薄膜形成に及ぼす影響に関する研究
citation_author	内藤, 正路
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citation_date	1994-03-25
citation_doi	info:doi/10.11501/3094183