イオンビームスパッタ法によるPb系強誘電体薄膜の形成およびその機能性デバイス応用に関する研究

このアイテムのアクセス数:124件（2021-05-12 08:36 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:https://doi.org/10.11501/3144193

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/184

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
13557_要旨	pdf	181 KB	64	要旨/Abstract
13557_論文	pdf	9.19 MB	76	論文/Dissertation

タイトル	イオンビームスパッタ法によるPb系強誘電体薄膜の形成およびその機能性デバイス応用に関する研究
タイトル (ヨミ)	イオンビームスパッタホウニヨル Pbケイキョウユウデンタイハクマクノケイセイオヨビソノキノウセイデバイスオウヨウニカンスルケンキュウ
著者	神野, 伊策神野, 伊策
著者の別表記	Kanno, Isaku
著者 (ヨミ)	カンノ, イサク
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	1998-02-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第07439号
学位記番号	13557
URL	http://hdl.handle.net/11094/184
言語	日本語
DOI	info:doi/10.11501/3144193
カテゴリ	博士論文本文あり / その他 / 1997年度
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1997年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	イオンビームスパッタ法によるPb系強誘電体薄膜の形成およびその機能性デバイス応用に関する研究
DC.creator	神野, 伊策
DC.creator	Kanno, Isaku
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/184
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1998-02-25
DC.identifier	info:doi/10.11501/3144193
citation_title	イオンビームスパッタ法によるPb系強誘電体薄膜の形成およびその機能性デバイス応用に関する研究
citation_author	神野, 伊策
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/184
citation_date	1998-02-25
citation_doi	info:doi/10.11501/3144193