Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors

Ando, Takashi

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/2223

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
24181_Abstract	pdf	なし	642 KB	119	2017.02.22	要旨/Abstract
24181_Dissertation	pdf	なし	5.24 MB	434	2012.09.22	論文/Dissertation

タイトル	Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
	高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜化と電界効果トランジスタのキャリア輸送への影響
	コウユウデンリツゲートゼツエンマクノハクマクカトデンカイコウカトランジスタノキャリアユソウヘノエイキョウ
著者	NRID 1000040281191 1000040281191 著者名 Ando, Takashi ; アンドウ, タカシ ; 安藤, 崇志
キーワード等	High-k
	Metal Gate
	Mobility
	CMOS
	DRAM
	高誘電率
	メタルゲート
	移動度
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2010-09-22
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	生命先端工学
学位授与番号	甲第14540号
学位記番号	24181
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/2223
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2010年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2010年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2010, 博士論文
DC.title	Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
	高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜化と電界効果トランジスタのキャリア輸送への影響
	コウユウデンリツゲートゼツエンマクノハクマクカトデンカイコウカトランジスタノキャリアユソウヘノエイキョウ
DC.creator	Ando, Takashi
	アンドウ, タカシ
	安藤, 崇志
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DC.subject	High-k
	Metal Gate
	Mobility
	CMOS
	DRAM
	高誘電率
	メタルゲート
	移動度
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2010-09-22
DC.format	2223
citation_title	Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
citation_author	Ando, Takashi
citation_language	英語
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/2223
citation_date	2010-09-22