Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors

このアイテムのアクセス数:204件（2022-07-05 10:29 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/2223

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
24181_要旨	pdf	642 KB	35	要旨/Abstract
24181_論文	pdf	5.24 MB	199	論文/Dissertation

タイトル	Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
別タイトル	高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜化と電界効果トランジスタのキャリア輸送への影響
タイトル (ヨミ)	コウユウデンリツゲートゼツエンマクノハクマクカトデンカイコウカトランジスタノキャリアユソウヘノエイキョウ
著者	Ando, Takashi Ando, Takashi
著者の別表記	安藤, 崇志
著者 (ヨミ)	アンドウ, タカシ
キーワード等	High-k
	Metal Gate
	Mobility
	CMOS
	DRAM
	高誘電率
	メタルゲート
	移動度
著者所属研究科	工学
専攻	生命先端工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2010-09-22
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第14540号
学位記番号	24181
URL	http://hdl.handle.net/11094/2223
言語	英語
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2010年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2010年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
DCTERMS.alternative	高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜化と電界効果トランジスタのキャリア輸送への影響
DC.creator	Ando, Takashi
DC.creator	安藤, 崇志
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	英語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/2223
DC.subject	High-k
	Metal Gate
	Mobility
	CMOS
	DRAM
	高誘電率
	メタルゲート
	移動度
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2010-09-22
citation_title	Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
citation_author	Ando, Takashi
citation_language	英語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/2223
citation_keywords	High-k
	Metal Gate
	Mobility
	CMOS
	DRAM
	高誘電率
	メタルゲート
	移動度
citation_date	2010-09-22