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2021-03-08
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24181_要旨
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26
要旨/Abstract
24181_論文
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5.24 MB
126
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
別タイトル
高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜化と電界効果トランジスタのキャリア輸送への影響
タイトル (ヨミ)
コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ ハクマクカ ト デンカイ コウカ トランジスタ ノ キャリア ユソウ ヘノ エイキョウ
著者
Ando, Takashi
Ando, Takashi
著者の別表記
安藤, 崇志
著者 (ヨミ)
アンドウ, タカシ
キーワード等
High-k
Metal Gate
Mobility
CMOS
DRAM
高誘電率
メタルゲート
移動度
著者所属研究科
工学
専攻
生命先端工学
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
2010-09-22
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第14540号
学位記番号
24181
URL
http://hdl.handle.net/11094/2223
言語
英語
カテゴリ
博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2010年度
博士論文 / 工学研究科 / 2010年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
DCTERMS.alternative
高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜化と電界効果トランジスタのキャリア輸送への影響
DC.creator
Ando, Takashi
DC.creator
安藤, 崇志
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/2223
DC.subject
High-k
Metal Gate
Mobility
CMOS
DRAM
高誘電率
メタルゲート
移動度
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2010-09-22
citation_title
Ultimate Scaling of High-κ Gate Dielectrics and Impact on Carrier Transport of Field-Effect Transistors
citation_author
Ando, Takashi
citation_language
英語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/2223
citation_keywords
High-k
Metal Gate
Mobility
CMOS
DRAM
高誘電率
メタルゲート
移動度
citation_date
2010-09-22