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(
2021-01-25
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25192_要旨
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要旨/Abstract
25192_論文
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5.26 MB
128
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT
別タイトル
硝酸酸化法により形成した極薄二酸化シリコン膜とその超低消費電力多結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用に関する研究
タイトル (ヨミ)
ショウサン サンカホウ ニヨリ ケイセイ シタ ゴクウス ニサンカ シリコンマク ト ソノ チョウテイショウヒ デンリョク タケッショウ シリコンマク トランジスタ ヘノ オウヨウ ニカンスル ケンキュウ
著者
Yasushi, Kubota
Yasushi, Kubota
著者の別表記
久保田, 靖
著者 (ヨミ)
クボタ, ヤスシ
キーワード等
silicon dioxide
nitric acid
poly-crystalline Silicon
thin film transistor
著者所属研究科
理学
専攻
化学
学位名
博士(理学)
学位授与年月日
2012-03-22
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第15457号
学位記番号
25192
URL
http://hdl.handle.net/11094/24876
言語
英語
カテゴリ
博士論文 本文あり / 理学研究科 / 2011年度
博士論文 / 理学研究科 / 2011年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT
DCTERMS.alternative
硝酸酸化法により形成した極薄二酸化シリコン膜とその超低消費電力多結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用に関する研究
DC.creator
Yasushi, Kubota
DC.creator
久保田, 靖
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/24876
DC.subject
silicon dioxide
nitric acid
poly-crystalline Silicon
thin film transistor
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2012-03-22
citation_title
Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT
citation_author
Yasushi, Kubota
citation_language
英語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/24876
citation_keywords
silicon dioxide
nitric acid
poly-crystalline Silicon
thin film transistor
citation_date
2012-03-22