Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
25192_要旨	pdf	915 KB	19	要旨/Abstract
25192_論文	pdf	5.26 MB	126	論文/Dissertation

タイトル	Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT
別タイトル	硝酸酸化法により形成した極薄二酸化シリコン膜とその超低消費電力多結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用に関する研究
タイトル (ヨミ)	ショウサン　サンカホウ　ニヨリ　ケイセイ　シタ　ゴクウス　ニサンカ　シリコンマク　ﾄ　ソノ　チョウテイショウヒ　デンリョク　タケッショウ　シリコンマク　トランジスタ　ヘノ　オウヨウ　ニカンスル　ケンキュウ
著者	Yasushi, Kubota Yasushi, Kubota
著者の別表記	久保田, 靖
著者 (ヨミ)	クボタ, ヤスシ
キーワード等	silicon dioxide
	nitric acid
	poly-crystalline Silicon
	thin film transistor
著者所属研究科	理学
専攻	化学
学位名	博士（理学）
学位授与年月日	2012-03-22
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第15457号
学位記番号	25192
URL	http://hdl.handle.net/11094/24876
言語	英語
カテゴリ	博士論文本文あり / 理学研究科 / 2011年度
カテゴリ	博士論文 / 理学研究科 / 2011年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT
DCTERMS.alternative	硝酸酸化法により形成した極薄二酸化シリコン膜とその超低消費電力多結晶シリコン薄膜トランジスタへの応用に関する研究
DC.creator	Yasushi, Kubota
DC.creator	久保田, 靖
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	英語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/24876
DC.subject	silicon dioxide
	nitric acid
	poly-crystalline Silicon
	thin film transistor
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2012-03-22
citation_title	Study on Ultra-Thin Silicon Dioxide Layer Formed by Nitric Acid Oxidation Method and Application to Ultra-low Power Poly-Si TFT
citation_author	Yasushi, Kubota
citation_language	英語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/24876
citation_keywords	silicon dioxide
	nitric acid
	poly-crystalline Silicon
	thin film transistor
citation_date	2012-03-22