固定URL: https://hdl.handle.net/11094/25962

閲覧可能ファイル 

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
26229_Abstract	pdf	なし	3.46 MB	2,463	2017.02.22	要旨/Abstract
26229_Dissertation	pdf	なし	7.83 MB	8,823	2013.09.19	論文/Dissertation

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル	4H-SiC バイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究
	4H-SiC　バイポーラデバイス　ニオケル　ケッショウ　ケッカン　ト　デンキ　トクセイ　ノ　カンケイ　ニカンスル　ケンキュウ
著者	著者名 中山, 浩二 ; ナカヤマ, コウジ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2013-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位授与番号	甲第16443号
学位記番号	26229
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/25962
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2012年度
	博士論文 / 工学研究科 / 2012年度

ホームへ戻る