4H-SiC バイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
26229_要旨	pdf	3.46 MB	2,310	要旨/Abstract
26229_論文	pdf	7.83 MB	6,306	論文/Dissertation

タイトル	4H-SiC バイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究
タイトル (ヨミ)	4H-SiC　バイポーラデバイス　ニオケル　ケッショウ　ケッカン　ト　デンキ　トクセイ　ノ　カンケイ　ニカンスル　ケンキュウ
著者	中山, 浩二中山, 浩二
著者 (ヨミ)	ナカヤマ, コウジ
著者所属研究科	工学
専攻	電気電子情報工学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2013-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第16443号
学位記番号	26229
URL	http://hdl.handle.net/11094/25962
言語	日本語
カテゴリ	博士論文本文あり / 工学研究科 / 2012年度
カテゴリ	博士論文 / 工学研究科 / 2012年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
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DC.title	4H-SiC バイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究
DC.creator	中山, 浩二
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/25962
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2013-03-25
citation_title	4H-SiC バイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究
citation_author	中山, 浩二
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citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/25962
citation_date	2013-03-25