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01202001
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1,038
論文情報
タイトル
CMOS voltage reference based on gate work function differences in poly-Si controlled by conductivity type and impurity concentration
著者
Watanabe, Hirobumi
Watanabe, Hirobumi
Ando, Shunsuke
Ando, Shunsuke
Aota, Hideyuki
Aota, Hideyuki
Dainin, Masanori
Dainin, Masanori
Chun, Yong-Jin
Chun, Yong-Jin
Taniguchi, Kenji
Taniguchi, Kenji
著者の別表記
谷口, 研二
著者 (ヨミ)
タニグチ, ケンジ
公開者
IEEE
掲載誌名
IEEE Journal of Solid-State Circuits
巻
38
号
6
開始ページ
987
終了ページ
994
刊行年月
2003-06
ISSN
00189200
DOI (出版社版)
info:doi/10.1109/jssc.2003.811974
URL
http://hdl.handle.net/11094/2899
権利情報
©2003 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE..
言語
英語
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article
論文詳細を表示
著者版フラグ
publisher
NII資源タイプ
学術雑誌論文
ローカル資源タイプ
学術雑誌論文
dcmi資源タイプ
text
日付
2003-06
DCTERMS.bibliographicCitation
IEEE Journal of Solid-State Circuits.38(6) P.987-P.994
DC.title
CMOS voltage reference based on gate work function differences in poly-Si controlled by conductivity type and impurity concentration
DC.creator
Watanabe, Hirobumi
Ando, Shunsuke
Aota, Hideyuki
Dainin, Masanori
Chun, Yong-Jin
Taniguchi, Kenji
DC.creator
谷口, 研二
DC.publisher
IEEE
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2003-06
DC.identifier
info:doi/10.1109/jssc.2003.811974
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/2899
DC.date" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2003-06
DC.rights
©2003 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE..
citation_title
CMOS voltage reference based on gate work function differences in poly-Si controlled by conductivity type and impurity concentration
citation_author
Watanabe, Hirobumi
Ando, Shunsuke
Aota, Hideyuki
Dainin, Masanori
Chun, Yong-Jin
Taniguchi, Kenji
citation_publisher
IEEE
citation_language
英語
citation_date
2003-06
citation_journal_title
IEEE Journal of Solid-State Circuits
citation_volume
38
citation_issue
6
citation_firstpage
987
citation_lastpage
994
citation_issn
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citation_doi
info:doi/10.1109/jssc.2003.811974
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/2899