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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明
01202001	pdf	なし	492 KB	1,163	2012.09.22

論文情報

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タイトル	CMOS voltage reference based on gate work function differences in poly-Si controlled by conductivity type and impurity concentration
著者	著者名 Watanabe, Hirobumi
	著者名 Ando, Shunsuke
	著者名 Aota, Hideyuki
	著者名 Dainin, Masanori
	著者名 Chun, Yong-Jin
	NRID 1000020192180 1000020192180 著者名 Taniguchi, Kenji
出版者	IEEE
収録物名	IEEE Journal of Solid-State Circuits
巻(号)	38(6)
ページ	987-994
刊行年月	2003-06
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/2899
PISSN	00189200
関連情報 (isIdenticalTo)	DOI (出版社版) https://doi.org/10.1109/jssc.2003.811974
アクセス権	open access
権利情報	©2003 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE..
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	学術雑誌論文 Journal Article

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