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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明
00737455	pdf	なし	189 KB	520	2012.09.22

論文情報

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タイトル	A new soft breakdown model for thin thermal SiO2 films under constant current stress
著者	NRID 1000070172187 1000070172187 著者名 Tomita, Takayuki
	NRID 1000010778492 1000010778492 著者名 Utsunomiya, Hiroto
	著者名 Sakura, Toshiyuki
	NRID 1000070294022 1000070294022 著者名 Kamakura, Yoshinari
	NRID 1000020192180 1000020192180 著者名 Taniguchi, Kenji
出版者	IEEE
収録物名	IEEE Transactions on Electron Devices
巻(号)	46(1)
ページ	159-164
刊行年月	1999-01
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/3066
PISSN	00189383
NCID	AA00667820
関連情報 (isIdenticalTo)	DOI (出版社版) https://doi.org/10.1109/16.737455
アクセス権	open access
権利情報	©1999 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE.
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	学術雑誌論文 Journal Article

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