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00737455
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469
論文情報
タイトル
A new soft breakdown model for thin thermal SiO2 films under constant current stress
著者
Tomita, Takayuki
Tomita, Takayuki
Utsunomiya, Hiroto
Utsunomiya, Hiroto
Sakura, Toshiyuki
Sakura, Toshiyuki
Kamakura, Yoshinari
Kamakura, Yoshinari
Taniguchi, Kenji
Taniguchi, Kenji
公開者
IEEE
掲載誌名
IEEE Transactions on Electron Devices
巻
46
号
1
開始ページ
159
終了ページ
164
刊行年月
1999-01
DOI (出版社版)
info:doi/10.1109/16.737455
URL
http://hdl.handle.net/11094/3066
権利情報
©1999 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE.
言語
英語
カテゴリ
学術雑誌論文 Journal Article
論文詳細を表示
著者版フラグ
publisher
NII資源タイプ
学術雑誌論文
ローカル資源タイプ
学術雑誌論文
dcmi資源タイプ
text
日付
1999-01
DCTERMS.bibliographicCitation
IEEE Transactions on Electron Devices.46(1) P.159-P.164
DC.title
A new soft breakdown model for thin thermal SiO2 films under constant current stress
DC.creator
Tomita, Takayuki
Utsunomiya, Hiroto
Sakura, Toshiyuki
Kamakura, Yoshinari
Taniguchi, Kenji
DC.publisher
IEEE
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
1999-01
DC.identifier
info:doi/10.1109/16.737455
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http://hdl.handle.net/11094/3066
DC.date" scheme="DCTERMS.W3CDTF
1999-01
DC.rights
©1999 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE.
citation_title
A new soft breakdown model for thin thermal SiO2 films under constant current stress
citation_author
Tomita, Takayuki
Utsunomiya, Hiroto
Sakura, Toshiyuki
Kamakura, Yoshinari
Taniguchi, Kenji
citation_publisher
IEEE
citation_language
英語
citation_date
1999-01
citation_journal_title
IEEE Transactions on Electron Devices
citation_volume
46
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1
citation_firstpage
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citation_doi
info:doi/10.1109/16.737455
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/3066