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ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明
17128_Abstract pdf なし 108 KB 100 2014.06.09 要旨/Abstract
17128_Dissertation pdf なし 4.33 MB 64 2012.09.22 論文/Dissertation

論文情報

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タイトル
Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
ダンメン ソウサガタ トンネル ケンビキョウ ニヨル 0.1 μm MOSFET ノ ヒョウカ
著者
NRID
1000020398895 1000020398895
著者名
奥井, 登志子 ; オクイ, トシコ ; Okui, Toshiko
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2002-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位授与番号
甲第08677号
学位記番号
17128
言語
英語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/323
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
博士論文 本文あり / 基礎工学研究科 / 2001年度
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2001年度