Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy

奥井, 登志子

アクセス数:644件（2025-07-18 03:19 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/323

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
17128_Abstract	pdf	なし	108 KB	169	2014.06.09	要旨/Abstract
17128_Dissertation	pdf	なし	4.33 MB	123	2012.09.22	論文/Dissertation

タイトル	Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
	断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
	ダンメンソウサガタトンネルケンビキョウニヨル 0.1 μm MOSFET ノヒョウカ
著者	NRID 1000020398895 1000020398895 著者名奥井, 登志子 ; オクイ, トシコ ; Okui, Toshiko
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2002-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位授与番号	甲第08677号
学位記番号	17128
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/323
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文本文あり / 基礎工学研究科 / 2001年度
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 2001年度

資源タイプ	博士論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2002, 博士論文
DC.title	Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
	断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
	ダンメンソウサガタトンネルケンビキョウニヨル 0.1 μm MOSFET ノヒョウカ
DC.creator	奥井, 登志子
	オクイ, トシコ
	Okui, Toshiko
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	英語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2002-03-25
DC.format	323
citation_title	Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
citation_author	奥井, 登志子
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citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/323
citation_date	2002-03-25