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2022-06-29
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17128_要旨
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69
要旨/Abstract
17128_論文
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4.33 MB
44
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
別タイトル
断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
タイトル (ヨミ)
ダンメン ソウサガタ トンネル ケンビキョウ ニヨル 0.1 μm MOSFET ノ ヒョウカ
著者
奥井, 登志子
奥井, 登志子
著者の別表記
Okui, Toshiko
著者 (ヨミ)
オクイ, トシコ
著者所属研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
2002-03-25
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第08677号
学位記番号
17128
URL
http://hdl.handle.net/11094/323
言語
英語
カテゴリ
博士論文 本文あり / 基礎工学研究科 / 2001年度
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2001年度
論文詳細を表示
著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
DCTERMS.alternative
断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
DC.creator
奥井, 登志子
DC.creator
Okui, Toshiko
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
英語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/323
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2002-03-25
citation_title
Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
citation_author
奥井, 登志子
citation_language
英語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/323
citation_date
2002-03-25