Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
17128_要旨	pdf	108 KB	64	要旨/Abstract
17128_論文	pdf	4.33 MB	41	論文/Dissertation

タイトル	Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
別タイトル	断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
タイトル (ヨミ)	ダンメンソウサガタトンネルケンビキョウニヨル 0.1 μm MOSFET ノヒョウカ
著者	奥井, 登志子奥井, 登志子
著者の別表記	Okui, Toshiko
著者 (ヨミ)	オクイ, トシコ
著者所属研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2002-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第08677号
学位記番号	17128
URL	http://hdl.handle.net/11094/323
言語	英語
カテゴリ	博士論文本文あり / 基礎工学研究科 / 2001年度
カテゴリ	博士論文 / 基礎工学研究科 / 2001年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
DCTERMS.alternative	断面走査型トンネル顕微鏡による0.1 μm MOSFETの評価
DC.creator	奥井, 登志子
DC.creator	Okui, Toshiko
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	英語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/323
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2002-03-25
citation_title	Characterization of 0.1 μm MOSFETs by Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy
citation_author	奥井, 登志子
citation_language	英語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/323
citation_date	2002-03-25