高密度MOSメモリ回路構成とその応用に関する基礎的研究

禿, 節史

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/33826

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06319_Abstract pdf なし 157 KB 87 2014.05.26 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
高密度MOSメモリ回路構成とその応用に関する基礎的研究
著者
著者名
禿, 節史 ; カムロ, セツフミ
学位名
工学博士
学位授与年月日
1984-02-27
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第03314号
学位記番号
06319
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/33826
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1983年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.