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127
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(
2022-06-27
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06568_要旨
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117
要旨/Abstract
06568_論文
pdf
10.2 MB
220
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究
タイトル (ヨミ)
スパッタリング ニヨル ウスマク ノ ケイセイ ト シリコン MOS ハンドウタイ ソシ ヘ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
著者
芹川, 正
芹川, 正
著者の別表記
Serikawa, Tadashi
著者 (ヨミ)
セリカワ, タダシ
学位名
工学博士
学位授与年月日
1984-07-18
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401乙第03426号
学位記番号
06568
URL
http://hdl.handle.net/11094/389
言語
日本語
カテゴリ
博士論文 本文あり / その他 / 1984年度
博士論文 / その他 / 1984年度
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著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究
DC.creator
芹川, 正
DC.creator
Serikawa, Tadashi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/389
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
1984-07-18
citation_title
スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究
citation_author
芹川, 正
citation_language
日本語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/389
citation_date
1984-07-18