スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
06568_要旨	pdf	185 KB	106	要旨/Abstract
06568_論文	pdf	10.2 MB	140	論文/Dissertation

タイトル	スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究
タイトル (ヨミ)	スパッタリングニヨルウスマクノケイセイトシリコン MOS ハンドウタイソシヘノオウヨウニカンスルケンキュウ
著者	芹川, 正芹川, 正
著者の別表記	Serikawa, Tadashi
著者 (ヨミ)	セリカワ, タダシ
学位名	工学博士
学位授与年月日	1984-07-18
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401乙第03426号
学位記番号	06568
URL	http://hdl.handle.net/11094/389
言語	日本語
カテゴリ	博士論文本文あり / その他 / 1984年度
カテゴリ	博士論文 / その他 / 1984年度

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究
DC.creator	芹川, 正
DC.creator	Serikawa, Tadashi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/389
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	1984-07-18
citation_title	スパッタリングによる薄膜の形成とシリコンMOS半導体素子への応用に関する研究
citation_author	芹川, 正
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citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/389
citation_date	1984-07-18