MOS論理LSIの高性能化・設計効率化のための階層的設計手法に関する研究

徳田, 健

アクセス数:104件（2025-05-12 17:21 集計）

固定URL: https://hdl.handle.net/11094/39643

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット 利用条件 サイズ 閲覧回数 利用開始日 説明 information
12109_Abstract pdf なし 105 KB 88 2014.06.18 要旨/Abstract  

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル
MOS論理LSIの高性能化・設計効率化のための階層的設計手法に関する研究
著者
著者名
徳田, 健 ; トクダ, タケシ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
1995-10-04
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
乙第06723号
学位記番号
12109
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/39643
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / その他 / 1995年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.