Cryogenic InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors fabricated on (411) A-oriented InP substrates

渡邊, 一世

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19597_Abstract pdf なし 127 KB 120 2014.06.24 要旨/Abstract  

論文情報

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タイトル
Cryogenic InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors fabricated on (411) A-oriented InP substrates
（411）A InP基板上に作製された極低温用InGaAs/InAlAs高電子移動度トランジスタ
著者
著者名
渡邊, 一世 ; ワタナベ, イッセイ
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2005-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位授与番号
甲第10604号
学位記番号
19597
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/45928
アクセス権
open access
カテゴリ
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2004年度
注記
著者からインターネット公開の許諾が得られていないため、論文の要旨のみを公開しています。全文のご利用をご希望の場合は、大阪大学の博士論文についてをご参照ください。
Only the abstract of the doctoral thesis, instead of the full text, is available because consent from the author has not been obtained. If you would like to read the full text, please refer to Doctoral Theses of Osaka University.