BiC-DMOS技術におけるDMOSトランジスタのESD耐性及びホットキャリア耐性の向上に関する研究

このアイテムのアクセス数:44件（2018-09-22 03:22 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/11094/58388

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
24579_要旨	pdf	690 KB	18	要旨/Abstract

タイトル	BiC-DMOS技術におけるDMOSトランジスタのESD耐性及びホットキャリア耐性の向上に関する研究
著者	畑迫, 健一畑迫, 健一
著者 (ヨミ)	ハタサコ, ケンイチ
著者所属研究科	工学
専攻	マテリアル生産科学
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2011-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第14918号
学位記番号	24579
URL	http://hdl.handle.net/11094/58388

著者版フラグ	none
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	BiC-DMOS技術におけるDMOSトランジスタのESD耐性及びホットキャリア耐性の向上に関する研究
DC.creator	畑迫, 健一
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/58388
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2011-03-25
citation_title	BiC-DMOS技術におけるDMOSトランジスタのESD耐性及びホットキャリア耐性の向上に関する研究
citation_author	畑迫, 健一
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/58388
citation_date	2011-03-25