湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去に関する研究

堀邊, 英夫; 山本, 雅史

湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去に関する研究

堀邊, 英夫; 山本, 雅史

電気材料技術雑誌, 2012, 21, 31-45

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固定URL: https://hdl.handle.net/11094/76894

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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
eme_21_01_031	pdf	なし	5.29 MB	637	2020.09.04

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タイトル	湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去に関する研究
	Study on the Removal of Ion-implanted Resist Using Wet Ozone
	シツジュン　オゾン　ニ　ヨル　イオン　チュウニュウ　レジスト　ノ　ジョキョ　ニ　カンスル　ケンキュウ
著者	NRID 1000000372243 1000000372243 著者名堀邊, 英夫 ; Horibe, Hideo
著者	NRID 1000060733821 1000060733821 著者名山本, 雅史 ; Yamamoto, Masashi
キーワード等	湿潤オゾン
	レジスト除去
	イオン注入レジスト
	ナノインデンテーション
	塑性変形硬さ
	wet ozone
	resist removal
	ion-implanted resist
	nanoindentation
	plastic deformation hardness
抄録	従来の薬液を使用したレジスト除去方法に代わり、環境負荷の少ない湿潤オゾン法を用いて、B、P、Asイオンが70KeVの加速エネルギーで5×1012から5×1015個/㎠注入されたノボラック系ポジ型レジストの除去を行った。イオン注入量が5×1013個/㎠以下のレジストはすべて除去でき、5×1015個/㎠のレジストはどのイオン種でも除去できなかった。5×1014個/㎠のイオン注入量において、Bイオン注入レジストのみ低速ながらも除去でき、P、Asイオン注入レジストは除去できなかった。この注入量において、Bイオン注入レジストの硬さは未注入レジストの約1.8倍、Pイオンでは約8倍、Asイオンでは約5倍であった。湿潤オゾンによる除去が可能な硬さの閾値は、未注入レジストの約2倍程度と予測される。注入イオンからレジストに与えられるエネルギーはB、P、Asイオンの順で表面側に集中し分布していた。レジストはイオン注入によって、OH基、CH基および01sが減少し、C=CやCls、冗共役系が増加する炭化または架橋により硬化したと推測される。
抄録	We removed B-, P-, and As-ion-implanted positive-tone novolak resists with an implantation dose of 5x1012 to 5x1015 atoms/cm2 at 70keV, using wet ozone. Ion-implanted resists with 5x1015 atoms/cm2 could not be removed, but resists implanted below 5x1013 atoms/cm2 could be removed. Resist implanted with B ions at 5xl014 atoms/cm2 was removed slowly, but resists implanted with P and As ions were not removed. The peak hardness of resist with B ions implanted at 5x1014 atoms/cm2 was 1.8 times greater than that of the non-implanted resist (AZ6112), that of the P-ion-implanted resist was eight times greater, and that of As-ion-implanted resist was five times greater. We determined that the hardness threshold of the resist that could be removed using wet ozone was almost 2 times higher than that of AZ6112. The ion-implanted resists were hardened by cross-linkage.
出版者	電気材料技術懇談会
出版者	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
収録物名	電気材料技術雑誌
収録物名	Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
巻(号)	21
ページ	31-45
刊行年月	2012-09-30
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/76894
PISSN	09189890
NCID	AN10426571
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	本学関連学会 Related Societies
カテゴリ	電気材料技術雑誌 / 第21巻

資源タイプ	学術雑誌論文
ローカル資源タイプ	本学関連学会
DCMI資源タイプ	text
DCTERMS.bibliographicCitation	電気材料技術雑誌. 2012, 21, p. 31-45
DC.title	湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去に関する研究
	Study on the Removal of Ion-implanted Resist Using Wet Ozone
	シツジュン　オゾン　ニ　ヨル　イオン　チュウニュウ　レジスト　ノ　ジョキョ　ニ　カンスル　ケンキュウ
DC.creator	堀邊, 英夫
	Horibe, Hideo
	山本, 雅史
	Yamamoto, Masashi
DC.publisher	電気材料技術懇談会
DC.publisher	デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2012-09-30
DC.subject	湿潤オゾン
	レジスト除去
	イオン注入レジスト
	ナノインデンテーション
	塑性変形硬さ
	wet ozone
	resist removal
	ion-implanted resist
	nanoindentation
	plastic deformation hardness
DCTERMS.abstract	従来の薬液を使用したレジスト除去方法に代わり、環境負荷の少ない湿潤オゾン法を用いて、B、P、Asイオンが70KeVの加速エネルギーで5×1012から5×1015個/㎠注入されたノボラック系ポジ型レジストの除去を行った。イオン注入量が5×1013個/㎠以下のレジストはすべて除去でき、5×1015個/㎠のレジストはどのイオン種でも除去できなかった。5×1014個/㎠のイオン注入量において、Bイオン注入レジストのみ低速ながらも除去でき、P、Asイオン注入レジストは除去できなかった。この注入量において、Bイオン注入レジストの硬さは未注入レジストの約1.8倍、Pイオンでは約8倍、Asイオンでは約5倍であった。湿潤オゾンによる除去が可能な硬さの閾値は、未注入レジストの約2倍程度と予測される。注入イオンからレジストに与えられるエネルギーはB、P、Asイオンの順で表面側に集中し分布していた。レジストはイオン注入によって、OH基、CH基および01sが減少し、C=CやCls、冗共役系が増加する炭化または架橋により硬化したと推測される。
DCTERMS.abstract	We removed B-, P-, and As-ion-implanted positive-tone novolak resists with an implantation dose of 5x1012 to 5x1015 atoms/cm2 at 70keV, using wet ozone. Ion-implanted resists with 5x1015 atoms/cm2 could not be removed, but resists implanted below 5x1013 atoms/cm2 could be removed. Resist implanted with B ions at 5xl014 atoms/cm2 was removed slowly, but resists implanted with P and As ions were not removed. The peak hardness of resist with B ions implanted at 5x1014 atoms/cm2 was 1.8 times greater than that of the non-implanted resist (AZ6112), that of the P-ion-implanted resist was eight times greater, and that of As-ion-implanted resist was five times greater. We determined that the hardness threshold of the resist that could be removed using wet ozone was almost 2 times higher than that of AZ6112. The ion-implanted resists were hardened by cross-linkage.
DC.format	76894
citation_title	湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去に関する研究
citation_author	堀邊, 英夫
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citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/76894

湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去に関する研究

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