高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価

阿保, 智

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18801_Abstract pdf なし 121 KB 137 2014.06.09 要旨/Abstract  
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タイトル
高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
コウエネルギー イオンプローブ オ モチイタ ゼツエンマク ジョウハクマク タンケッショウ シリコン キバン ニ ケイセイ サレタ ソシ ノ シンライセイ ヒョウカ
著者
NRID
1000060379310 1000060379310
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satoshi_abo satoshi_abo
Scopus Author ID
8683193200 8683193200
ORCID
0009-0006-4937-8305 0009-0006-4937-8305
著者名
阿保, 智 ; アボ, サトシ ; Abo, Satoshi
学位名
博士（工学）
学位授与年月日
2004-03-25
学位授与機関
大阪大学
研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位授与番号
甲第09952号
学位記番号
18801
言語
日本語
ハンドルURL
https://hdl.handle.net/11094/871
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
カテゴリ
博士論文 本文あり / 基礎工学研究科 / 2003年度
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2003年度