高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
18801_要旨	pdf	121 KB	41	要旨/Abstract
18801_論文	pdf	4.62 MB	64	論文/Dissertation

タイトル	高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
タイトル (ヨミ)	コウエネルギーイオンプローブオモチイタゼツエンマクジョウハクマクタンケッショウシリコンキバンニケイセイサレタソシノシンライセイヒョウカ
著者	阿保, 智阿保, 智
著者の別表記	Abo, Satoshi
著者 (ヨミ)	アボ, サトシ
著者所属研究科	基礎工学
専攻	物理系
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2004-03-25
学位授与機関	大阪大学
学位授与番号	14401甲第09952号
学位記番号	18801
URL	http://hdl.handle.net/11094/871
言語	日本語

著者版フラグ	ETD
NII資源タイプ	学位論文
ローカル資源タイプ	博士論文本文あり
ローカル資源タイプ	博士論文
dcmi資源タイプ	text
DC.title	高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
DC.creator	阿保, 智
DC.creator	Abo, Satoshi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766	日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI	http://hdl.handle.net/11094/871
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF	2004-03-25
citation_title	高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
citation_author	阿保, 智
citation_language	日本語
citation_public_url	http://hdl.handle.net/11094/871
citation_date	2004-03-25