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2022-07-03
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18801_要旨
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要旨/Abstract
18801_論文
pdf
4.62 MB
62
論文/Dissertation
論文情報
タイトル
高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
タイトル (ヨミ)
コウエネルギー イオンプローブ オ モチイタ ゼツエンマク ジョウハクマク タンケッショウ シリコン キバン ニ ケイセイ サレタ ソシ ノ シンライセイ ヒョウカ
著者
阿保, 智
阿保, 智
著者の別表記
Abo, Satoshi
著者 (ヨミ)
アボ, サトシ
著者所属研究科
基礎工学
専攻
物理系
学位名
博士(工学)
学位授与年月日
2004-03-25
学位授与機関
大阪大学
学位授与番号
14401甲第09952号
学位記番号
18801
URL
http://hdl.handle.net/11094/871
言語
日本語
カテゴリ
博士論文 本文あり / 基礎工学研究科 / 2003年度
博士論文 / 基礎工学研究科 / 2003年度
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著者版フラグ
ETD
NII資源タイプ
学位論文
ローカル資源タイプ
博士論文 本文あり
博士論文
dcmi資源タイプ
text
DC.title
高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
DC.creator
阿保, 智
DC.creator
Abo, Satoshi
DC.language" scheme="DCTERMS.RFC1766
日本語
DC.identifier" scheme="DCTERMS.URI
http://hdl.handle.net/11094/871
DCTERMS.issued" scheme="DCTERMS.W3CDTF
2004-03-25
citation_title
高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
citation_author
阿保, 智
citation_language
日本語
citation_public_url
http://hdl.handle.net/11094/871
citation_date
2004-03-25