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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
33980_Abstract	pdf	なし	237 KB	72	2024.06.17
33980_Dissertation	pdf	なし	6.60 MB	284	2024.06.17

論文情報

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タイトル	4H-SiCデバイスにおける積層欠陥の発展挙動の予測と信頼性設計への活用
	4H-SiCデバイスニオケルセキソウケッカンノハッテンキョドウノヨソクトシンライセイセッケイヘノカツヨウ
著者	著者名 加納, 明 ; カノウ, アキラ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2024-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	機械工学
学位授与番号	14401甲第23283号
学位記番号	33980
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/96061
DOI	https://doi.org/10.18910/96061
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2023年度
	博士論文 / 工学研究科 / 2023年度

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