固定URL: https://doi.org/10.18910/98782

閲覧可能ファイル 

ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
34598_Abstract	pdf	なし	256 KB	99	2024.12.16
34598_Dissertation	pdf	なし	5.21 MB	640	2024.12.16

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

タイトル	SURFACE REACTION MECHANISMS OF PLASMA-ENHANCED ATOMIC LAYER ETCHING FOR SILICON NITRIDE
	窒化ケイ素に対するプラズマ支援原子層エッチングの表面反応機構
	チッカケイソニタイスルプラズマシエンゲンシソウエッチングノヒョウメンハンノウキコウ
著者	著者名 Tercero, Jomar Unico ; テルセロ, ジョマル ウニコ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2024-09-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	マテリアル生産科学
学位授与番号	甲第23801号
学位記番号	34598
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/98782
DOI	https://doi.org/10.18910/98782
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2024年度
	博士論文 / 工学研究科 / 2024年度

ホームへ戻る