シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値

福山, 博之; 塚田, 隆夫; 渡邉, 匡人 他

日本結晶成長学会誌, 2004, 30(5), 364-369

Number of Access:1,543（2025-10-30 03:59 Counts）

Identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11094/26058

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Title
シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値
Thermophysical Properties Required for Numerical Simulation of Single Crystalline Silicon Growth Processes
シリコン　タンケッショウ　セイチョウ　プロセス　ノ　スウチ　シミュレーション　ニ　ヨウキュウサレル　ネツ　ブッセイチ
Creator
NRID
1000040252259 1000040252259
CreatorName
福山, 博之 ; フクヤマ, ヒロユキ ; Fukuyama, Hiroyuki
NRID
1000010171969 1000010171969
CreatorName
塚田, 隆夫 ; ツカダ, タカオ ; Tsukada, Takao
NRID
1000040337902 1000040337902
CreatorName
渡邉, 匡人 ; ワタナベ, マサヒト ; Watanabe, Masahito
NRID
1000010179773 1000010179773
researchmap permalink
read0013978 read0013978
CreatorName
田中, 敏宏 ; タナカ, トシヒロ ; Tanaka, Toshihiro
CreatorName
馬場, 哲也 ; ババ, テツヤ ; Baba, Tetsuya
CreatorName
日比谷, 孟俊 ; ヒビヤ, タケトシ ; Hibiya, Taketoshi
Description
小特集：バルク成長分科会特集－最先端デバイスと科学技術－
Publisher
日本結晶成長学会
ニホン　ケッショウ　セイチョウ　ガッカイ
Source Title
日本結晶成長学会誌
Volume (Issue)
30(5)
Page
364-369
Date of Issued
2004-01-15
Language
Japanese
Handle URL
https://hdl.handle.net/11094/26058
PISSN
03856275
NCID
AN00188386
Relation.isVersionOf
URI
http://ci.nii.ac.jp/naid/110008593111
Access Rights
open access
CopyRight
日本結晶成長学会
本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
oaire:version
Version of Record
Category
学術雑誌論文 Journal Article