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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
27091_Dissertation	pdf	なし	6.26 MB	980	2014.10.10	論文/Dissertation
27091_Abstract	pdf	なし	262 KB	739	2014.10.10	要旨/Abstract

論文情報

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タイトル	Study on Bias-temperature Instability in 4H-SiC Metal-oxide-semiconductor Devices
	4H-SiC MOSデバイスのバイアス温度不安定性に関する研究
	4H-SiC MOS　デバイス　ノ　バイアス　オンド　フアンテイセイ　二　カンスル　ケンキュウ
著者	著者名 Chanthaphan, Atthawut ; アタウット, チャンタパン
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2014-09-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	工学
専攻	生命先端工学
学位授与番号	甲第17239号
学位記番号	27091
言語	英語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/50528
DOI	https://doi.org/10.18910/50528
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 工学研究科 / 2014年度
	博士論文 / 工学研究科 / 2014年度

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