ポリSi TFTの過渡特性における自己発熱及びキンク効果の影響の分離評価

多田, 憲史; 廣瀬, 哲也; 松岡, 俊匡 他

電子情報通信学会論文誌C, 2004, J87-C(1), 186-187

Number of Access:1,491（2025-07-06 16:15 Counts）

Identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11094/51677

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Title
ポリSi TFTの過渡特性における自己発熱及びキンク効果の影響の分離評価
Separation of Self-Heating and Kink Effects on Transient Characteristics of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
ポリ　Si TFT　ノ　カト　トクセイ　二　オケル　ジコ　ハツネツ　オヨビ　キンク　コウカ　ノ　エイキョウ　ノ　ブンリ　ヒョウカ
Creator
CreatorName
多田, 憲史 ; タダ, ケンシ ; Tada, Kenshi
NRID
1000070396315 1000070396315
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hirose_tetsuya hirose_tetsuya
Scopus Author ID
9272478400 9272478400
ORCID
0000-0003-1997-5097 0000-0003-1997-5097
CreatorName
廣瀬, 哲也 ; ヒロセ, テツヤ ; Hirose, Tetsuya
NRID
1000080324820 1000080324820
ORCID
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Scopus Author ID
7402741552 7402741552
CreatorName
松岡, 俊匡 ; マツオカ, トシマサ ; Matsuoka, Toshimasa
NRID
1000020192180 1000020192180
CreatorName
谷口, 研二 ; タニグチ, ケンジ ; Taniguchi, Kenji
CreatorName
前田, 和宏 ; マエダ, カズヒロ ; Maeda, Kazuhiro
CreatorName
酒井, 保 ; サカイ, タモツ ; Sakai, Tamotsu
CreatorName
久保田, 靖 ; クボタ, ヤスシ ; Kubota, Yasushi
CreatorName
今井, 繁規 ; イマイ, シゲキ ; Imai, Shigeki
Subject
TFT
過渡応答
自己発熱効果
インパクトイオン化現象
キンク効果
Abstract
ポリSi TFTのドレーンパルスに対する過渡応答の実測評価より，自己発熱効果による温度上昇と，インパクトイオン化現象による正孔の発生に伴うキンク効果がそれぞれ過渡特性を説明する主要なメカニズムであることを確認した．
Publisher
電子情報通信学会
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
デンシ　ジョウホウ　ツウシン　ガッカイ
Source Title
電子情報通信学会論文誌C
Volume (Issue)
J87-C(1)
Page
186-187
Date of Issued
2004-01
Language
Japanese
Handle URL
https://hdl.handle.net/11094/51677
PISSN
13452827
NCID
AA11412446
Relation.references
URI
https://search.ieice.org/
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Category
学術雑誌論文 Journal Article