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ファイル	フォーマット	利用条件	サイズ	閲覧回数	利用開始日	説明	information
27636_Abstract	pdf	なし	111 KB	411	2015.07.29
27636_Dissertation	pdf	なし	9.26 MB	2,177	2015.07.29

論文情報

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タイトル	薄膜Al2O3/SiO2埋め込み絶縁膜層を有する貼り合わせGeOI基板およびGe-n型MISFETの開発
	ハクマク　アルミナシリコン　サンカマク　ウメコミ　ゼツエンマクソウ　ヲ　ユウスル　ハリアワセ　ジーイーオーアイ　キバン　オヨビ　ゲルマニウム　エヌガタ　ミスフェット　ノ　カイハツ
著者	著者名 守山, 佳彦 ; モリヤマ, ヨシヒコ
学位名	博士（工学）
学位授与年月日	2015-03-25
学位授与機関	大阪大学
研究科	基礎工学
専攻	システム創成
学位授与番号	甲第17752号
学位記番号	27636
言語	日本語
ハンドルURL	https://hdl.handle.net/11094/52066
DOI	https://doi.org/10.18910/52066
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
カテゴリ	博士論文 本文あり / 基礎工学研究科 / 2014年度
	博士論文 / 基礎工学研究科 / 2014年度

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