ポリアルキルフルオレン有機電界効果トランジスタの真空紫外光照射による電気的光学的特性への影響

寺島, 大樹; 楠本, 悠介; 梶井, 博武 他

電気材料技術雑誌, 2011, 20(1), 26-32

Number of Access:569（2025-07-02 22:48 Counts）

Identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11094/76862

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Title
ポリアルキルフルオレン有機電界効果トランジスタの真空紫外光照射による電気的光学的特性への影響
Influence of Vacuum UV irradiation on electrical and optical properties of organic field-effect transistors based on poly(alkyfluorene)
ポリアルキルフルオレン　ユウキ　デンカイ　コウカ　トランジスタ　ノ　シンクウ　シガイコウ　ショウシャ　ニ　ヨル　デンキ　テキ　コウガク　テキ　トクセイ　ヘ　ノ　エイキョウ
Creator
CreatorName
寺島, 大樹 ; Terashima, Daiki
CreatorName
楠本, 悠介 ; Kusumoto, Yusuke
NRID
1000000324814 1000000324814
researchmap permalink
read0191221 read0191221
Scopus Author ID
56247824600 56247824600
CreatorName
梶井, 博武 ; Kajii, Hirotake
NRID
1000050223970 1000050223970
CreatorName
大森, 裕 ; Ohmori, Yutaka
Subject
有機トランジスタ
トップゲート構造
Cytop
ポリアルキルフルオレン
銀ナノインク
Organic Field Effect Transistors
Top-Gate-Type
poly(alkyfluorene)
Ag nano-ink
Abstract
ポリアルキルフルオレン： poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8)を有機半導体層に用いたトップゲート型有機電界効果トランジスタ(OFET)の作製とその電気的光学的特性を検討した。F8を用いたOFETは両極性を示し、適切なゲート電圧を印加する事で、正孔と電子を同時に有機半導体層に注入でき、青色発光を示した。また、溶液プロセスのみでOFETを作製するため、ゲート電極に銀ナノインクを用いることを検討した。ゲート絶縁膜に用いたアモルファスフッ素樹脂Cytop町旭硝子）は撥水性が高く通常その上部に銀ナノインクを用いることができない。しかし、窒素と酸素の混合雰囲気中で真空紫外光を照射することにより、Cytopの表面エネルギーが上昇し、銀ナノインクを用いてゲート電極を成膜できることが明らかになった。これより、溶液プロセスのみで発光OFETを作製できる可能性を見出し、実際にOFETのp型駆動を確認した。しかし、真空紫外光を照射することによりF8が劣化し、OFETのn型飽和特性が見られなくなりEL発光を示さなかった。これは真空紫外光照射により、F8に酸素由来の結合が生成され、電子トラップとなっていることが示唆される。
The fabrication and electrical and optical properties of top-gate-type organic field effect transistors (OFETs) utilizing poly(9,9dioctylfluorenyl-2,7-diyl) (F8) were investigated. The OFETs utilizing F8 showed ambipolar characteristics and blue emission. Then, the Ag nano-ink was used for the gate electrode to fabricate OFETs only in the solution-process. The amorphous fluoro-polymer Cytop (Asahi Glass Co., Ltd.) which has good solution barrier properties was used for the gate insulator and the vacuum ultraviolet (VUV) light was irradiated on Cytop film in the mixture atmosphere of nitrogen and oxygen to decrease water-shedding quality of the film. As a result, the surface energy of Cytop was increased by VUV irradiation, and the gate electrode was fabricated in solution-process on the Cytop film by using the Ag nano-ink. In addition, the p-type output characteristic of OFET was achieved by all solution process method. However, after irradiated VUV light, the photo-degradation of F8 was observed. Consequently, the saturation current of OFETs in the electron enhancement mode markedly decreased, and the EL emission was not observed. It is suggested that the oxygen bindings were generated to F8 film by VUV irradiation, and acted as an electron trap sites.
Publisher
電気材料技術懇談会
デンキ　ザイリョウ　ギジュツ　コンダンカイ
Source Title
電気材料技術雑誌
Journal of the Society of Electrical Materials Engineering
Volume (Issue)
20(1)
Page
26-32
Date of Issued
2011-12-15
Language
Japanese
Handle URL
https://hdl.handle.net/11094/76862
PISSN
09189890
NCID
AN10426571
Access Rights
open access
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Version of Record
Category
本学関連学会 Related Societies
Journal of the Society of Electrical Materials Engineering / Vol.20 / No.1