高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価

阿保, 智

Number of Access:941（2025-08-29 05:22 Counts）

Identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11094/871

File	Format	Terms of use	Size	Views	Date.Available	Description	information
18801_Abstract	pdf	None	121 KB	145	2014.06.09	要旨/Abstract
18801_Dissertation	pdf	None	4.62 MB	154	2012.09.22	論文/Dissertation

Title	高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
Title	コウエネルギーイオンプローブオモチイタゼツエンマクジョウハクマクタンケッショウシリコンキバンニケイセイサレタソシノシンライセイヒョウカ
Creator	NRID 1000060379310 1000060379310 researchmap permalink satoshi_abo satoshi_abo Scopus Author ID 8683193200 8683193200 ORCID 0009-0006-4937-8305 0009-0006-4937-8305 CreatorName 阿保, 智 ; アボ, サトシ ; Abo, Satoshi
Degree Name	博士（工学）
Date of Granted	2004-03-25
Grantor	Osaka University
Faculty	基礎工学
Specialty	物理系
Grant ID	甲第09952号
Description Number	18801
Language	Japanese
Handle URL	https://hdl.handle.net/11094/871
Access Rights	open access
oaire:version	Version of Record
Category	Doctoral Thesis with Full Text / Graduate School of Engineering Science / 2003
Category	Doctoral Thesis / Graduate School of Engineering Science / 2003

Resource Type	doctoral thesis
Local Type	Doctoral Thesis with Full Text
Local Type	Doctoral Thesis
DCMI Type	Text
DCTERMS.bibliographicCitation	大阪大学, 2004, 博士論文
DC.title	高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
DC.title	コウエネルギーイオンプローブオモチイタゼツエンマクジョウハクマクタンケッショウシリコンキバンニケイセイサレタソシノシンライセイヒョウカ
DC.creator	阿保, 智
	アボ, サトシ
	Abo, Satoshi
DC.language' scheme='DCTERMS.RFC1766	Japanese
DC.type' scheme='DCTERMS.DCMIType	Text
DCTERMS.issued' scheme='DCTERMS.W3CDTF	2004-03-25
DC.format	871
citation_title	高エネルギーイオンプローブを用いた絶縁膜上薄膜単結晶シリコン基板に形成された素子の信頼性評価
citation_author	阿保, 智
citation_language	Japanese
citation_public_url	https://hdl.handle.net/11094/871
citation_date	2004-03-25